Vishay N-Kanal, MOSFET, 57 A 200 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, SUP57N20-33
- RS-varenummer:
- 165-2816
- Producentens varenummer:
- SUP57N20-33-E3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 rør af 50 enheder)*
Kr. 673,10
(ekskl. moms)
Kr. 841,40
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Restlager hos RS
- Sidste 200 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder | Per stk. | Pr rør* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | Kr. 13,462 | Kr. 673,10 |
| 100 - 200 | Kr. 12,654 | Kr. 632,70 |
| 250 + | Kr. 11,442 | Kr. 572,10 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 165-2816
- Producentens varenummer:
- SUP57N20-33-E3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 57A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 200V | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Serie | SUP57N20-33 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 33mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 90nC | |
| Portkildespænding maks. | -20V, +20V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 3.75W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Bredde | 4.7mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 9.01mm | |
| Længde | 10.41mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 57A | ||
Drain source spænding maks. Vds 200V | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Serie SUP57N20-33 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 33mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 90nC | ||
Portkildespænding maks. -20V, +20V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 3.75W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Bredde 4.7mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 9.01mm | ||
Længde 10.41mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- TW
N-kanal MOSFET, 200 V til 250 V, Vishay Semiconductor
MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor
Relaterede links
- Vishay N-Kanal 57 A 200 V Forbedring TO-220, SUP57N20-33
- Nexperia N-Kanal 57 A 100 V Forbedring TO-220
- Infineon N-Kanal 57 A 100 V Forbedring TO-220, HEXFET
- STMicroelectronics N-Kanal 33 A 600 V Forbedring TO-220, STO67N60DM6
- onsemi N-Kanal 33 A 60 V Forbedring TO-220, UltraFET
- STMicroelectronics N-Kanal 62 A 33 V Forbedring TO-220, STripFET
- Infineon N-Kanal 33 A 100 V Forbedring TO-220, HEXFET
- STMicroelectronics N-Kanal 33 A 650 V Forbedring TO-220, MDmesh M5
