Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 57 A 200 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, SUP57N20-33 Nej SUP57N20-33-E3
- RS-varenummer:
- 708-5014
- Producentens varenummer:
- SUP57N20-33-E3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 154,84
(ekskl. moms)
Kr. 193,55
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 240 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | Kr. 30,968 | Kr. 154,84 |
| 25 - 45 | Kr. 26,628 | Kr. 133,14 |
| 50 - 120 | Kr. 22,918 | Kr. 114,59 |
| 125 - 245 | Kr. 21,692 | Kr. 108,46 |
| 250 + | Kr. 18,58 | Kr. 92,90 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 708-5014
- Producentens varenummer:
- SUP57N20-33-E3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 57A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 200V | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Serie | SUP57N20-33 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 33mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 3.75W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 90nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Længde | 10.41mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 4.7 mm | |
| Højde | 9.01mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 57A | ||
Drain source spænding maks. Vds 200V | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Serie SUP57N20-33 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 33mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 3.75W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 90nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Længde 10.41mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 4.7 mm | ||
Højde 9.01mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
N-kanal MOSFET, 200 V til 250 V, Vishay Semiconductor
MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor
Relaterede links
- Vishay N-Kanal 57 A 200 V TO-220AB SUP57N20-33-E3
- Infineon N-Kanal 57 A 100 V TO-220AB, HEXFET IRF3710PBF
- Nexperia N-Kanal 57 A 100 V TO-220AB PSMN016-100PS,127
- Vishay N-Kanal 9 A 200 V, TO-220AB IRF630PBF
- Vishay N-Kanal 17 A 200 V, TO-220AB IRL640PBF
- Vishay N-Kanal 17 A 500 V TO-220AB SIHP18N50C-E3
- onsemi N-Kanal 33 A 250 V TO-220AB, UniFET FDP33N25
- Infineon N-Kanal 33 A 100 V TO-220AB, HEXFET IRF540NPBF
