Infineon N-Kanal, MOSFET, 1.5 A 20 V Forbedring, 3 Ben, SC-70, OptiMOS AEC-Q101

RS-varenummer:: 165-5863
Producentens varenummer:: BSS214NWH6327XTSA1
Brand:: Infineon

Infineon N-Kanal, MOSFET, 1.5 A 20 V Forbedring, 3 Ben, SC-70, OptiMOS AEC-Q101

Indhold (3000 enheder, på en rulle med 3000)*

Kr. 2.109,00

(ekskl. moms)

Kr. 2.637,00

(inkl. moms)

GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.

På lager

3.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager

Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder	Per stk.	Pr rulle*
3000 +	Kr. 0,703	Kr. 2.109,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 165-5863
Producentens varenummer:: BSS214NWH6327XTSA1
Brand:: Infineon

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Infineon
	Produkttype	MOSFET
	Kanaltype	N
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	1.5A
	Drain source spænding maks. Vds	20V
	Serie	OptiMOS
	Emballagetype	SC-70
	Monteringstype	Overflade
	Benantal	3
	Drain source modstand maks. Rds	250mΩ
	Kanalform	Forbedring
	Portkildespænding maks.	-12V, +12V
	Gennemgangsspænding Vf	800mV
	Effektafsættelse maks. Pd	500mW
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	0.8nC
	Driftstemperatur maks.	150°C
	Længde	2mm
	Højde	800μm
	Bredde	1.25mm
	Standarder/godkendelser	No
	Bilindustristandarder	AEC-Q101

	Vælg alle
	Brand Infineon
	Produkttype MOSFET
	Kanaltype N
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 1.5A
	Drain source spænding maks. Vds 20V
	Serie OptiMOS
	Emballagetype SC-70
	Monteringstype Overflade
	Benantal 3
	Drain source modstand maks. Rds 250mΩ
	Kanalform Forbedring
	Portkildespænding maks. -12V, +12V
	Gennemgangsspænding Vf 800mV
	Effektafsættelse maks. Pd 500mW
	Min. driftstemperatur -55°C
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 0.8nC
	Driftstemperatur maks. 150°C
	Længde 2mm
	Højde 800μm
	Bredde 1.25mm
	Standarder/godkendelser No
	Bilindustristandarder AEC-Q101

COO (Country of Origin):: CN

Infineon OptiMOS seriens MOSFET, 20 V maksimal drain source-spænding, 1,5 A maksimal kontinuerlig drain-strøm - BSS214NWH6327XTSA1

Denne MOSFET er en kompakt N-kanal-forbedringsenhed, der er designet til overflademonteret strømkontakt og styring i begrænsede elektroniske enheder. Den fungerer over et bredt omgivelsesområde, der er velegnet til krævende temperaturforhold, og den er konstrueret til anvendelser med lav spænding og lav strøm, hvor effektiv ledning og hurtig gate-reaktion er påkrævet.

Egenskaber og fordele:

• 20 V drain-source-klassificering muliggør lavspændingsstrømkonstruktioner
• 250 mΩ Rds(on) reducerer ledningstab i koblingsbaner
• 0.8 nC typisk portladning understøtter hurtige portovergange
• 1,5 A kontinuerlig afløbsstrøm håndterer beskedne belastningsstrømme
• 500 mW maksimal tab giver sikker termisk overflade
• 12 V tærskelværdi for port maksimerer fleksibiliteten for portdrev

Anvendelser

• Velegnet til sensorswitching i biler
• Ideel til batteristyring og belastningsfrakobling
• Anvendes sammen med styringslogik i distribuerede strømmoduler
• Kan bruges til små DC-DC-konvertertrin
• Velegnet til omskiftning af strømsti til bærbare enheder

Hvilket temperaturområde kan den tåle i ekstreme miljøer?

Den er specificeret til at fungere fra -55 °C op til 150 °C, hvilket giver mulighed for brug i bilområder med høje temperaturer.

Hvor kompakt er det til kortlayouter med høj tæthed?

Komponenten leveres i en lille SC-70-pakke til overflademontering, der måler 2 mm x 1,25 mm med en lav profil på 0,8 mm.

Hvilke grænser for portdrev skal designere overholde?

Gate-kilde-spændingen må ikke overstige 12 V for at undgå overbelastning af gate-dielektrisk.

Hvordan opfører enheden sig under konstant belastning?

Den understøtter en konstant afløbsstrøm på 1,5 A, mens den spreder op til 500 mW inden for sine termiske begrænsninger.