Vishay Type N-Kanal, Effekt MOSFET, 8.7 A 500 V Forbedring, 3 Ben, JEDEC TO-220AB Nej SIHP8N50D-GE3

Kan ikke leveres i øjeblikket
Vi ved ikke, om dette produkt kommer på lager igen. RS har planer om at tage det ud af sortimentet inden længe.
RS-varenummer:
165-7113
Producentens varenummer:
SIHP8N50D-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Produkttype

Effekt MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

8.7A

Drain source spænding maks. Vds

500V

Emballagetype

JEDEC TO-220AB

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

0.85Ω

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

30nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

±30 V

Effektafsættelse maks. Pd

156W

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

No

Højde

9.01mm

Længde

10.51mm

Bredde

4.65 mm

Bilindustristandarder

Nej

N-kanal MOSFET, D serien høj spænding, Vishay Semiconductor


MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor


Relaterede links