Vishay Type N-Kanal, Effekt MOSFET, 1.5 A 30 V Forbedring, 3 Ben, SOT-323, Si1308EDL
- RS-varenummer:
- 165-7247
- Producentens varenummer:
- SI1308EDL-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Kan ikke leveres i øjeblikket
Vi ved ikke, om dette produkt kommer på lager igen. RS har planer om at tage det ud af sortimentet inden længe.
- RS-varenummer:
- 165-7247
- Producentens varenummer:
- SI1308EDL-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | Effekt MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 1.5A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 30V | |
| Emballagetype | SOT-323 | |
| Serie | Si1308EDL | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.185Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.8V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 1.4nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 0.5W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 1mm | |
| Standarder/godkendelser | Lead (Pb)-Free | |
| Længde | 2.2mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype Effekt MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 1.5A | ||
Drain source spænding maks. Vds 30V | ||
Emballagetype SOT-323 | ||
Serie Si1308EDL | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.185Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.8V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 1.4nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 0.5W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 1mm | ||
Standarder/godkendelser Lead (Pb)-Free | ||
Længde 2.2mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- PH
N-kanal MOSFET, 30 V til 50 V, Vishay Semiconductor
MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor
Relaterede links
- Vishay Type N-Kanal 1.5 A 30 V Forbedring SOT-323, Si1308EDL
- Vishay Type N-Kanal 2.3 A 60 V Forbedring SOT-23, Si2308BDS
- Vishay Type P-Kanal 3.8 A 20 V Forbedring SOT-23, Si2367DS
- Vishay Type N-Kanal 2.9 A 20 V Forbedring SOT-23, TrenchFET
- onsemi Type P-Kanal 1.5 A 8 V Forbedring SOT-323, NTS2101P
- ROHM Type N-Kanal 1.5 A 60 V Forbedring SOT-323, RSF015N06
- Vishay Type N-Kanal 20.5 A 40 V Forbedring SOIC, TrenchFET
- Vishay Type P-Kanal 12 A 30 V Forbedring US, TrenchFET