STMicroelectronics N-Kanal, MOSFET, 10 A 600 V, 3 ben, D2PAK (TO-263), MDmesh, SuperMESH STB10NK60ZT4
- RS-varenummer:
- 165-7787
- Producentens varenummer:
- STB10NK60ZT4
- Brand:
- STMicroelectronics
Ikke tilgængelig
RS lagerfører ikke længere dette produkt
- RS-varenummer:
- 165-7787
- Producentens varenummer:
- STB10NK60ZT4
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. | 10 A | |
| Drain source spænding maks. | 600 V | |
| Serie | MDmesh, SuperMESH | |
| Kapslingstype | D2PAK (TO-263) | |
| Monteringstype | Overflademontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. | 750 mΩ | |
| Kanalform | Enhancement | |
| Maks. tærskelspænding for port | 4.5V | |
| Mindste tærskelspænding for port | 3V | |
| Effektafsættelse maks. | 115 W | |
| Transistorkonfiguration | Enkelt | |
| Gate source spænding maks. | -30 V, +30 V | |
| Antal elementer per chip | 1 | |
| Bredde | 9.35mm | |
| Længde | 10.4mm | |
| Transistormateriale | Si | |
| Driftstemperatur maks. | +150 °C | |
| Gate-ladning ved Vgs typisk | 50 nC ved 10 V | |
| Højde | 4.6mm | |
| Driftstemperatur min. | -55 °C | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. 10 A | ||
Drain source spænding maks. 600 V | ||
Serie MDmesh, SuperMESH | ||
Kapslingstype D2PAK (TO-263) | ||
Monteringstype Overflademontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. 750 mΩ | ||
Kanalform Enhancement | ||
Maks. tærskelspænding for port 4.5V | ||
Mindste tærskelspænding for port 3V | ||
Effektafsættelse maks. 115 W | ||
Transistorkonfiguration Enkelt | ||
Gate source spænding maks. -30 V, +30 V | ||
Antal elementer per chip 1 | ||
Bredde 9.35mm | ||
Længde 10.4mm | ||
Transistormateriale Si | ||
Driftstemperatur maks. +150 °C | ||
Gate-ladning ved Vgs typisk 50 nC ved 10 V | ||
Højde 4.6mm | ||
Driftstemperatur min. -55 °C | ||
N-kanal MDmesh™ SuperMESH™, 250 V til 650 V, STMicroelectronics
MOSFET-transistorer, STMicroelectronics
Relaterede links
- STMicroelectronics N-Kanal 4 A 600 V D2PAK (TO-263) SuperMESH STB4NK60ZT4
- STMicroelectronics N-Kanal 7 A 600 V D2PAK (TO-263) SuperMESH STB9NK60ZT4
- STMicroelectronics N-Kanal 5.8 A 900 V D2PAK (TO-263) SuperMESH STB6NK90ZT4
- STMicroelectronics N-Kanal 5 3 ben MDmesh, SuperMESH STB7NK80ZT4
- STMicroelectronics N-Kanal 5 3 ben MDmesh, SuperMESH STB6NK90ZT4
- STMicroelectronics N-Kanal 14 A 500 V D2PAK (TO-263) SuperMESH STB14NK50ZT4
- STMicroelectronics N-Kanal 7 3 ben MDmesh, SuperMESH STB9NK50ZT4
- STMicroelectronics N-Kanal 12 A 600 V D2PAK (TO-263), MDmesh DM2 STB18N60DM2