DiodesZetex Type N-Kanal, MOSFET, 8 A 30 V Forbedring, 8 Ben, SOIC, DMN AEC-Q200, AEC-Q100, AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 165-8895
- Producentens varenummer:
- DMN4800LSSL-13
- Brand:
- DiodesZetex
Indhold (1 rulle af 2500 enheder)*
Kr. 2.345,00
(ekskl. moms)
Kr. 2.930,00
(inkl. moms)
Tilføj 2500 enheder for at opnå gratis levering
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 08. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 2500 + | Kr. 0,938 | Kr. 2.345,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 165-8895
- Producentens varenummer:
- DMN4800LSSL-13
- Brand:
- DiodesZetex
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | DiodesZetex | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 8A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 30V | |
| Serie | DMN | |
| Emballagetype | SOIC | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 20mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.94V | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 1.46W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 8.7nC | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 1.5mm | |
| Bredde | 3.95 mm | |
| Længde | 4.95mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q200, AEC-Q100, AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand DiodesZetex | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 8A | ||
Drain source spænding maks. Vds 30V | ||
Serie DMN | ||
Emballagetype SOIC | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 20mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.94V | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 1.46W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 8.7nC | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 1.5mm | ||
Bredde 3.95 mm | ||
Længde 4.95mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q200, AEC-Q100, AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
N-kanal MOSFET, 30 V, Diodes Inc
MOSFET transistorer, Diodes Inc.
Relaterede links
- DiodesZetex Type N-Kanal 8 A 30 V Forbedring SOIC AEC-Q100, AEC-Q101
- DiodesZetex Type N-Kanal 9.4 A 20 V Forbedring UDFN AEC-Q200, AEC-Q101
- DiodesZetex Type N-Kanal 1.6 A 100 V Forbedring SOT-23 AEC-Q100, AEC-Q101
- DiodesZetex Type N-Kanal Dobbelt 800 mA 30 V Forbedring US AEC-Q200, AEC-Q101
- DiodesZetex Type N-Kanal Dobbelt 217 mA 60 V Forbedring US AEC-Q100, AEC-Q200
- DiodesZetex Type N-Kanal Dobbelt 261 mA 60 V Forbedring US AEC-Q101, AEC-Q100
- DiodesZetex Type N-Kanal 5 A 60 V Forbedring SOIC, DMN AEC-Q101
- DiodesZetex Type N-Kanal 5.3 A 100 V Forbedring PowerDI3333, DMN AEC-Q101