IXYS Type N-Kanal, MOSFET, 178 A 100 V Forbedring, 4 Ben, SOT-227, Linear L2 Nej

Se alle MOSFET

Indhold (1 rør af 10 enheder)*

Kr. 3.656,45

(ekskl. moms)

Kr. 4.570,56

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 09. november 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rør*
10 +Kr. 365,645Kr. 3.656,45

*Vejledende pris

RS-varenummer:
168-4584
Producentens varenummer:
IXTN200N10L2
Brand:
IXYS
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

IXYS

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

178A

Drain source spænding maks. Vds

100V

Emballagetype

SOT-227

Serie

Linear L2

Monteringstype

Overflade

Benantal

4

Drain source modstand maks. Rds

11mΩ

Kanalform

Forbedring

Portkildespænding maks.

20 V

Effektafsættelse maks. Pd

830W

Gennemgangsspænding Vf

1.4V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

540nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

150°C

Højde

9.6mm

Bredde

25.07 mm

Standarder/godkendelser

No

Længde

38.23mm

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
PH

N-kanal Power MOSFET, IXYS lLinear-serien


N-kanal Power MOSFET'er designet specielt til lineær funktion. Disse enheder har forlænget fremadrettet bias-sikkert arbejdsområde (FBSOA) for øget robusthed og pålidelighed.

MOSFET-transistorer, IXYS


EN bred vifte af avancerede MOSFET-enheder med diskret effekt fra IXYS

Relaterede links