IXYS N-Kanal, MOSFET, 178 A 100 V Forbedring, 4 Ben, SOT-227, Linear L2

Se alle MOSFET

Indhold (1 rør af 10 enheder)*

Kr. 4.189,47

(ekskl. moms)

Kr. 5.236,84

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Lagerinformation er i øjeblikket ikke tilgængelig - Vend tilbage senere
Enheder
Per stk.
Pr rør*
10 +Kr. 418,947Kr. 4.189,47

*Vejledende pris

RS-varenummer:
168-4584
Producentens varenummer:
IXTN200N10L2
Brand:
IXYS
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

IXYS

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

178A

Drain source spænding maks. Vds

100V

Serie

Linear L2

Emballagetype

SOT-227

Monteringstype

Overflade

Benantal

4

Drain source modstand maks. Rds

11mΩ

Kanalform

Forbedring

Portkildespænding maks.

-20V, +20V

Effektafsættelse maks. Pd

830W

Min. driftstemperatur

-55°C

Gennemgangsspænding Vf

1.4V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

540nC

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

No

Højde

9.6mm

Længde

38.23mm

Bredde

25.07mm

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
PH

N-kanal Power MOSFET, IXYS lLinear-serien


N-kanal Power MOSFET'er designet specielt til lineær funktion. Disse enheder har forlænget fremadrettet bias-sikkert arbejdsområde (FBSOA) for øget robusthed og pålidelighed.

MOSFET-transistorer, IXYS


EN bred vifte af avancerede MOSFET-enheder med diskret effekt fra IXYS

Relaterede links