IXYS Type N-Kanal, MOSFET, 22 A 1 kV Forbedring, 4 Ben, SOT-227, Linear

Se alle MOSFET

Indhold (1 rør af 10 enheder)*

Kr. 4.016,61

(ekskl. moms)

Kr. 5.020,76

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 250 enhed(er) afsendes fra 23. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rør*
10 +Kr. 401,661Kr. 4.016,61

*Vejledende pris

RS-varenummer:
168-4610
Producentens varenummer:
IXTN22N100L
Brand:
IXYS
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

IXYS

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

22A

Drain source spænding maks. Vds

1kV

Emballagetype

SOT-227

Serie

Linear

Monteringstype

Panelkabinet

Benantal

4

Drain source modstand maks. Rds

600mΩ

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

270nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Gennemgangsspænding Vf

1.5V

Effektafsættelse maks. Pd

700W

Portkildespænding maks.

30 V

Driftstemperatur maks.

150°C

Bredde

25.07 mm

Længde

38.2mm

Højde

9.6mm

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
US

N-kanal Power MOSFET, IXYS lLinear-serien


N-kanal Power MOSFET'er designet specielt til lineær funktion. Disse enheder har forlænget fremadrettet bias-sikkert arbejdsområde (FBSOA) for øget robusthed og pålidelighed.

MOSFET-transistorer, IXYS


EN bred vifte af avancerede MOSFET-enheder med diskret effekt fra IXYS

Relaterede links