IXYS Type N-Kanal, MOSFET, 22 A 1 kV Forbedring, 4 Ben, SOT-227, Linear

Se alle MOSFET

Indhold (1 rør af 10 enheder)*

Kr. 4.016,61

(ekskl. moms)

Kr. 5.020,76

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 250 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rør*
10 +Kr. 401,661Kr. 4.016,61

*Vejledende pris

RS-varenummer:
168-4610
Producentens varenummer:
IXTN22N100L
Brand:
IXYS
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

IXYS

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

22A

Drain source spænding maks. Vds

1kV

Emballagetype

SOT-227

Serie

Linear

Monteringstype

Panelkabinet

Benantal

4

Drain source modstand maks. Rds

600mΩ

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

270nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

700W

Portkildespænding maks.

30 V

Gennemgangsspænding Vf

1.5V

Driftstemperatur maks.

150°C

Højde

9.6mm

Standarder/godkendelser

No

Bredde

25.07 mm

Længde

38.2mm

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
US

N-kanal Power MOSFET, IXYS lLinear-serien


N-kanal Power MOSFET'er designet specielt til lineær funktion. Disse enheder har forlænget fremadrettet bias-sikkert arbejdsområde (FBSOA) for øget robusthed og pålidelighed.

MOSFET-transistorer, IXYS


EN bred vifte af avancerede MOSFET-enheder med diskret effekt fra IXYS

Relaterede links