IXYS Type N-Kanal, MOSFET, 22 A 1 kV Forbedring, 4 Ben, SOT-227, Linear Nej
- RS-varenummer:
- 686-7865
- Elfa Distrelec varenummer:
- 302-53-431
- Producentens varenummer:
- IXTN22N100L
- Brand:
- IXYS
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 enhed)*
Kr. 469,97
(ekskl. moms)
Kr. 587,46
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 3 enhed(er) klar til afsendelse
- Plus 8 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 1 | Kr. 469,97 |
| 2 - 4 | Kr. 414,02 |
| 5 - 9 | Kr. 403,17 |
| 10 - 19 | Kr. 392,85 |
| 20 + | Kr. 383,05 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 686-7865
- Elfa Distrelec varenummer:
- 302-53-431
- Producentens varenummer:
- IXTN22N100L
- Brand:
- IXYS
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | IXYS | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 22A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 1kV | |
| Serie | Linear | |
| Emballagetype | SOT-227 | |
| Monteringstype | Panelkabinet | |
| Benantal | 4 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 600mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.5V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 270nC | |
| Portkildespænding maks. | 30 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 700W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Bredde | 25.07 mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 38.2mm | |
| Højde | 9.6mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand IXYS | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 22A | ||
Drain source spænding maks. Vds 1kV | ||
Serie Linear | ||
Emballagetype SOT-227 | ||
Monteringstype Panelkabinet | ||
Benantal 4 | ||
Drain source modstand maks. Rds 600mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.5V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 270nC | ||
Portkildespænding maks. 30 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 700W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Bredde 25.07 mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 38.2mm | ||
Højde 9.6mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
N-kanal Power MOSFET, IXYS lLinear-serien
N-kanal Power MOSFET'er designet specielt til lineær funktion. Disse enheder har forlænget fremadrettet bias-sikkert arbejdsområde (FBSOA) for øget robusthed og pålidelighed.
MOSFET-transistorer, IXYS
EN bred vifte af avancerede MOSFET-enheder med diskret effekt fra IXYS
Relaterede links
- IXYS Type N-Kanal 22 A 1 kV Forbedring SOT-227, Linear Nej IXTN22N100L
- IXYS Type N-Kanal 62 A 500 V Forbedring SOT-227, Linear Nej
- IXYS Type N-Kanal 46 A 500 V Forbedring SOT-227, Linear Nej
- IXYS Type N-Kanal 46 A 500 V Forbedring SOT-227, Linear Nej IXTN46N50L
- IXYS Type N-Kanal 62 A 500 V Forbedring SOT-227, Linear Nej IXTN62N50L
- IXYS Type N-Kanal 178 A 100 V Forbedring SOT-227, Linear L2 Nej
- IXYS Type N-Kanal 178 A 100 V Forbedring SOT-227, Linear L2 Nej IXTN200N10L2
- IXYS Type N-Kanal 28 A 1 kV Forbedring SOT-227 Nej
