STMicroelectronics Type N-Kanal, Effekt MOSFET, 5 A 600 V Forbedring, 3 Ben, IPAK (TO-251), MDmesh Nej
- RS-varenummer:
- 168-7528
- Producentens varenummer:
- STU7NM60N
- Brand:
- STMicroelectronics
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 rør af 75 enheder)*
Kr. 497,40
(ekskl. moms)
Kr. 621,75
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 01. maj 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rør* |
|---|---|---|
| 75 - 75 | Kr. 6,632 | Kr. 497,40 |
| 150 - 450 | Kr. 5,38 | Kr. 403,50 |
| 525 - 900 | Kr. 5,234 | Kr. 392,55 |
| 975 - 4950 | Kr. 5,10 | Kr. 382,50 |
| 5025 + | Kr. 4,975 | Kr. 373,13 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 168-7528
- Producentens varenummer:
- STU7NM60N
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Produkttype | Effekt MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 5A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 600V | |
| Serie | MDmesh | |
| Emballagetype | IPAK (TO-251) | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.9Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 14nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 45W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 25 V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 6.6mm | |
| Standarder/godkendelser | ECOPACK | |
| Højde | 6.9mm | |
| Bredde | 2.4 mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Produkttype Effekt MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 5A | ||
Drain source spænding maks. Vds 600V | ||
Serie MDmesh | ||
Emballagetype IPAK (TO-251) | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.9Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 14nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 45W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 25 V | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 6.6mm | ||
Standarder/godkendelser ECOPACK | ||
Højde 6.9mm | ||
Bredde 2.4 mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
N-kanal MDmesh™, 600 V/650 V, STMicroelectronics
MOSFET-transistorer, STMicroelectronics
Relaterede links
- STMicroelectronics N-Kanal 5 A 600 V IPAK (TO-251), MDmesh STU7NM60N
- STMicroelectronics N-Kanal 1 A 600 V IPAK (TO-251) SuperMESH STD1NK60-1
- STMicroelectronics N-Kanal 1 3 ben MDmesh, SuperMESH STU2NK100Z
- STMicroelectronics N-Kanal 2 3 ben MDmesh, SuperMESH STD3NK80Z-1
- STMicroelectronics N-Kanal 1 3 ben MDmesh, SuperMESH STD2NK60Z-1
- STMicroelectronics N-Kanal 5 A 650 V IPAK (TO-251) STD5NM60T4
- Vishay N-Kanal 1 3 ben, IPAK (TO-251) IRFU1N60APBF
- onsemi N-Kanal 5 3 ben UniFET FDU7N60NZTU
