Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 4.3 A 100 V Forbedring, 3 Ben, IPAK (TO-251)
- RS-varenummer:
- 708-4884
- Producentens varenummer:
- IRLU110PBF
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 68,67
(ekskl. moms)
Kr. 85,84
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 22. februar 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 13,734 | Kr. 68,67 |
| 50 - 120 | Kr. 10,98 | Kr. 54,90 |
| 125 - 245 | Kr. 10,322 | Kr. 51,61 |
| 250 - 495 | Kr. 8,946 | Kr. 44,73 |
| 500 + | Kr. 8,272 | Kr. 41,36 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 708-4884
- Producentens varenummer:
- IRLU110PBF
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 4.3A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Emballagetype | IPAK (TO-251) | |
| Monteringstype | Hulmontering, Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.76Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 2.5V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 6.1nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 25W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | Halogen Free According to IEC 61249-2-21, JEDEC JS709A, RoHS Directive 2002/95/EC | |
| Længde | 6.73mm | |
| Højde | 6.22mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 4.3A | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Emballagetype IPAK (TO-251) | ||
Monteringstype Hulmontering, Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.76Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 2.5V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 6.1nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 25W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser Halogen Free According to IEC 61249-2-21, JEDEC JS709A, RoHS Directive 2002/95/EC | ||
Længde 6.73mm | ||
Højde 6.22mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
N-kanal MOSFET, 100 V til 150 V, Vishay Semiconductor
MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor
Relaterede links
- Vishay Type N-Kanal 4.3 A 100 V Forbedring IPAK (TO-251)
- Vishay Type N-Kanal 4.3 A 100 V Forbedring IPAK (TO-251), IRFU
- onsemi Type N-Kanal 14 A 50 V Forbedring IPAK (TO-251)
- Vishay Type P-Kanal 3.1 A 100 V Forbedring IPAK (TO-251)
- STMicroelectronics Type N-Kanal 5 A 600 V Forbedring IPAK (TO-251), MDmesh
- onsemi 1 Type N-Kanal Enkelt 4.5 A 600 V Forbedring IPAK (TO-251), SuperFET II
- Vishay Type N-Kanal 1.4 A 600 V Forbedring IPAK, IRFU
- Vishay Type N-Kanal 7.7 A 60 V Forbedring IPAK, IRLU
