Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 4.3 A 100 V Forbedring, 3 Ben, IPAK (TO-251) Nej
- RS-varenummer:
- 918-9871
- Producentens varenummer:
- IRLU110PBF
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 rør af 75 enheder)*
Kr. 322,875
(ekskl. moms)
Kr. 403,575
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 20. marts 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rør* |
|---|---|---|
| 75 - 75 | Kr. 4,305 | Kr. 322,88 |
| 150 - 300 | Kr. 4,089 | Kr. 306,68 |
| 375 + | Kr. 3,874 | Kr. 290,55 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 918-9871
- Producentens varenummer:
- IRLU110PBF
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 4.3A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Emballagetype | IPAK (TO-251) | |
| Monteringstype | Hulmontering, Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.76Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | ±10 V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 25W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 2.5V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 6.1nC | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Bredde | 2.38 mm | |
| Højde | 6.22mm | |
| Længde | 6.73mm | |
| Standarder/godkendelser | Halogen Free According to IEC 61249-2-21, JEDEC JS709A, RoHS Directive 2002/95/EC | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 4.3A | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Emballagetype IPAK (TO-251) | ||
Monteringstype Hulmontering, Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.76Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. ±10 V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 25W | ||
Gennemgangsspænding Vf 2.5V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 6.1nC | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Bredde 2.38 mm | ||
Højde 6.22mm | ||
Længde 6.73mm | ||
Standarder/godkendelser Halogen Free According to IEC 61249-2-21, JEDEC JS709A, RoHS Directive 2002/95/EC | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- MY
N-kanal MOSFET, 100 V til 150 V, Vishay Semiconductor
MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor
Relaterede links
- Vishay N-Kanal 4.3 A 100 V IPAK (TO-251) IRLU110PBF
- Vishay N-Kanal 4 3 ben, IPAK (TO-251) IRFU110PBF
- Vishay N-Kanal 4.3 A 100 V IPAK (TO-251) IRFU110PBF
- onsemi N-Kanal 10 A 100 V IPAK (TO-251), QFET FQU13N10LTU
- Infineon N-Kanal 63 A 100 V IPAK (TO-251), HEXFET IRLU3110ZPBF
- Infineon N-Kanal 56 A 100 V IPAK (TO-251), HEXFET IRFU4510PBF
- Infineon N-Kanal 9 3 ben HEXFET IRFU120NPBF
- Vishay N-Kanal 7 IPAK (TO-251) IRFU014PBF
