Vishay N-Kanal, MOSFET, 4.3 A 100 V Forbedring, 3 Ben, IPAK (TO-251), IRFU
- RS-varenummer:
- 708-4831
- Producentens varenummer:
- IRFU110PBF
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 10 enheder)*
Kr. 60,38
(ekskl. moms)
Kr. 75,48
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 40 enhed(er) afsendes fra 19. oktober 2026
- Plus 2.800 enhed(er) afsendes fra 26. oktober 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | Kr. 6,038 | Kr. 60,38 |
| 100 - 240 | Kr. 5,446 | Kr. 54,46 |
| 250 - 490 | Kr. 5,018 | Kr. 50,18 |
| 500 - 990 | Kr. 4,71 | Kr. 47,10 |
| 1000 + | Kr. 3,925 | Kr. 39,25 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 708-4831
- Producentens varenummer:
- IRFU110PBF
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 4.3A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Emballagetype | IPAK (TO-251) | |
| Serie | IRFU | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.54Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 8.3nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 100V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 25W | |
| Portkildespænding maks. | -20V, +20V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Bredde | 2.38mm | |
| Længde | 6.73mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS 2002/95/EC | |
| Højde | 6.22mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 4.3A | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Emballagetype IPAK (TO-251) | ||
Serie IRFU | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.54Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 8.3nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 100V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 25W | ||
Portkildespænding maks. -20V, +20V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Bredde 2.38mm | ||
Længde 6.73mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS 2002/95/EC | ||
Højde 6.22mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
N-kanal MOSFET, 100 V til 150 V, Vishay Semiconductor
MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor
Relaterede links
- Vishay N-Kanal 4.3 A 100 V Forbedring IPAK (TO-251), IRFU
- Vishay N-Kanal 4.3 A 100 V Forbedring IPAK (TO-251)
- onsemi N-Kanal 14 A 50 V Forbedring IPAK (TO-251)
- STMicroelectronics N-Kanal 5 A 600 V Forbedring IPAK (TO-251), MDmesh
- onsemi 1 N-Kanal Enkelt 4.5 A 600 V Forbedring IPAK (TO-251), SuperFET II
- onsemi 1 Enkelt 9.4 A 60 V Forbedring IPAK (TO-251)
- Vishay Type P-Kanal 3.1 A 100 V Forbedring IPAK (TO-251)
- Infineon N-Kanal 7 3 ben CoolMOS™ C3 SPU07N60C3BKMA1