Infineon N-Kanal, MOSFET, 100 A 100 V Forbedring, 8 Ben, TDSON, BSC040N10NS5

RS-varenummer:: 170-2309
Producentens varenummer:: BSC040N10NS5ATMA1
Brand:: Infineon

Infineon N-Kanal, MOSFET, 100 A 100 V Forbedring, 8 Ben, TDSON, BSC040N10NS5

Indhold (1 rulle af 5000 enheder)*

Kr. 31.620,00

(ekskl. moms)

Kr. 39.525,00

(inkl. moms)

GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.

På lager

10.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager

Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder	Per stk.	Pr rulle*
5000 +	Kr. 6,324	Kr. 31.620,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 170-2309
Producentens varenummer:: BSC040N10NS5ATMA1
Brand:: Infineon

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Infineon
	Kanaltype	N
	Produkttype	MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	100A
	Drain source spænding maks. Vds	100V
	Emballagetype	TDSON
	Serie	BSC040N10NS5
	Monteringstype	Overflade
	Benantal	8
	Drain source modstand maks. Rds	5.6mΩ
	Kanalform	Forbedring
	Effektafsættelse maks. Pd	139W
	Gennemgangsspænding Vf	860mV
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Portkildespænding maks.	20V
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	58nC
	Driftstemperatur maks.	150°C
	Standarder/godkendelser	No
	Længde	5.49mm
	Bredde	6.35mm
	Højde	1.1mm
	Bilindustristandarder	Nej

	Vælg alle
	Brand Infineon
	Kanaltype N
	Produkttype MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 100A
	Drain source spænding maks. Vds 100V
	Emballagetype TDSON
	Serie BSC040N10NS5
	Monteringstype Overflade
	Benantal 8
	Drain source modstand maks. Rds 5.6mΩ
	Kanalform Forbedring
	Effektafsættelse maks. Pd 139W
	Gennemgangsspænding Vf 860mV
	Min. driftstemperatur -55°C
	Portkildespænding maks. 20V
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 58nC
	Driftstemperatur maks. 150°C
	Standarder/godkendelser No
	Længde 5.49mm
	Bredde 6.35mm
	Højde 1.1mm
	Bilindustristandarder Nej

Infineon BSC040N10NS5 seriens MOSFET, 100 A maksimal kontinuerlig drain-strøm, 100 V maksimal drain-kildespænding - BSC040N10NS5ATMA1

Denne MOSFET er en stærkstrømsforstærkningstransistor med N-kanal, der er designet til overflademonteret effektomskiftning i krævende elektroniske systemer. Den fungerer over et bredt temperaturområde og er beregnet til kompakte effekttrin på kortniveau, hvor lave ledningstab og betydelig strømhåndtering er påkrævet. Enheden leveres i en lavprofil, blyfri pakke, der er velegnet til automatiseret samling og termisk styring.

Egenskaber og fordele:

• 100 A kontinuerlig afløbsstrøm muliggør håndtering af kraftige belastninger
• 100 V drain-source-klassificering understøtter højspændingsswitching
• 5.6 mΩ Rds(on) reducerer ledningstab under drift
• 58 nC typisk gate-ladning giver mulighed for kontrolleret skiftedynamik
• 139 W maks. effekttab muliggør betydelig varmegennemstrømning
• ±20 V gate-source-tolerance sikrer robust gate-drev-kapacitet

Anvendelser

• Velegnet til DC/DC-omformere med høj effekt i industrielle systemer
• Ideel til halvbrotrin for motoromformer på overfladekort
• Anvendes sammen med batteristyringssystemer, der kræver høj strøm
• Kan bruges til synkron ensretning i strømforsyninger
• Nyttig i serverstrømmoduler, hvor den termiske tæthed er vigtig

Hvad er de termiske driftsgrænser, man skal forvente?

Enheden er specificeret til at fungere mellem -55 °C og 150 °C, hvilket giver mulighed for brug i både koldstart og miljøer med forhøjet temperatur uden nedgradering ud over typiske hensyn til effekttab.

Hvordan påvirker pakken printkortdesign til varmeafledning?

Det blyfri TDSON 8-benede hus og 1,1 mm profil giver mulighed for tæt placering af komponenter, samtidig med at det letter varmeledning i pladekobber og termiske ledninger for forbedret varmeafledning.

Hvilke hensyn til gate-driver anbefales for pålidelig omskiftning?

Den maksimalt tilladte gate-source-spænding er 20 V, så gate-drivere skal begrænses inden for dette område og tage hensyn til den typiske gate-ladning på 58 nC ved dimensionering af driverstrøm for at opnå de ønskede overgangstider.

Hvordan opfører enheden sig med hensyn til ledningseffektivitet?

Med en lav modstand ved tænding på 5,6 mΩ og en høj kontinuerlig drain-strømkapacitet minimerer den I2R-tab under ledning, hvilket forbedrer den samlede systemeffektivitet ved betydelige belastningsstrømme.