Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 100 A 100 V Forbedring, 8 Ben, TDSON, BSC035N10NS5 Nej BSC035N10NS5ATMA1
- RS-varenummer:
- 171-1985
- Producentens varenummer:
- BSC035N10NS5ATMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 10 enheder)*
Kr. 127,70
(ekskl. moms)
Kr. 159,60
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- Plus 30 enhed(er) afsendes fra 29. december 2025
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 - 10 | Kr. 12,77 | Kr. 127,70 |
| 20 - 40 | Kr. 10,471 | Kr. 104,71 |
| 50 - 90 | Kr. 9,833 | Kr. 98,33 |
| 100 - 240 | Kr. 9,194 | Kr. 91,94 |
| 250 + | Kr. 8,428 | Kr. 84,28 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 171-1985
- Producentens varenummer:
- BSC035N10NS5ATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 100A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Serie | BSC035N10NS5 | |
| Emballagetype | TDSON | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 3.5mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 156W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 70nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.82V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 5.49mm | |
| Højde | 1.1mm | |
| Bredde | 6.35 mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 100A | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Serie BSC035N10NS5 | ||
Emballagetype TDSON | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 3.5mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 156W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 70nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.82V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 5.49mm | ||
Højde 1.1mm | ||
Bredde 6.35 mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon BSC035N10NS5 er 100 V OptiMOS 5 effekt MOSFET optimeret til synkron ensretning og velegnet til høj skiftefrekvens.
Højeste systemeffektivitet
Færre skift og ledningstab
Mindre parallelisering nødvendig
Forøget effekttæthed
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 100 A 100 V TDSON, OptiMOS™ 5 BSC035N10NS5ATMA1
- Infineon N-Kanal 100 A 100 V TDSON, OptiMOS™ 5 BSC040N10NS5ATMA1
- Infineon N-Kanal 100 A 100 V TDSON, OptiMOS™ 3 BSC070N10NS3GATMA1
- Infineon N-Kanal 100 A 30 V TDSON, OptiMOS™ BSC011N03LSATMA1
- Infineon N-Kanal 100 A 40 V TDSON, OptiMOS™ BSC014N04LSATMA1
- Infineon N-Kanal 100 A 30 V TDSON, OptiMOS™ BSC011N03LSIATMA1
- Infineon N-Kanal 100 A 25 V TDSON, OptiMOS™ BSC010NE2LSATMA1
- Infineon N-Kanal 100 A 80 V TDSON, OptiMOS™ BSC030N08NS5ATMA1
