Infineon N-Kanal, MOSFET, 100 A 80 V Forbedring, 8 Ben, TDSON, BSC030N08NS5
- RS-varenummer:
- 171-1978
- Producentens varenummer:
- BSC030N08NS5ATMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 10 enheder)*
Kr. 129,25
(ekskl. moms)
Kr. 161,56
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 08. oktober 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | Kr. 12,925 | Kr. 129,25 |
| 50 - 90 | Kr. 10,337 | Kr. 103,37 |
| 100 - 240 | Kr. 9,702 | Kr. 97,02 |
| 250 - 490 | Kr. 9,051 | Kr. 90,51 |
| 500 + | Kr. 8,408 | Kr. 84,08 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 171-1978
- Producentens varenummer:
- BSC030N08NS5ATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 100A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 80V | |
| Emballagetype | TDSON | |
| Serie | BSC030N08NS5 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 3mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 800mV | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 61nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 139W | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Bredde | 6.35mm | |
| Længde | 5.49mm | |
| Højde | 1.1mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 100A | ||
Drain source spænding maks. Vds 80V | ||
Emballagetype TDSON | ||
Serie BSC030N08NS5 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 3mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 800mV | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 61nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 139W | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Bredde 6.35mm | ||
Længde 5.49mm | ||
Højde 1.1mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon BSC030N08NS5 seriens MOSFET, 80 V maksimal drain source-spænding, 100 A maksimal kontinuerlig drain-strøm - BSC030N08NS5ATMA1
Denne n-kanal-forbedrings-MOSFET er designet til højstrømsskift i overflademonteret effektelektronik. Den fungerer over et bredt temperaturområde og håndterer forhøjede spændinger og strømme, hvilket gør den velegnet til krævende termiske og elektriske miljøer. Komponenten kan integreres i kompakte kortlayouts og understøtter hurtig omskiftning til effektkonvertering eller motordrevstrin.
Egenskaber og fordele:
• 80 V drain-source-klassificering muliggør drift med skinner med højere spænding
• 100 A kontinuerlig afløbsstrøm muliggør håndtering af kraftig strøm
• 3 mΩ Rds(on) minimerer ledningstab i belastningsbaner
• 139 W effekttab understøtter betydelig termisk gennemgang
• 61 nC total gate-ladning letter hurtige skifteovergange
• 20 V gate-source-grænse giver mulighed for robuste gate-drive-marginer
• 100 A kontinuerlig afløbsstrøm muliggør håndtering af kraftig strøm
• 3 mΩ Rds(on) minimerer ledningstab i belastningsbaner
• 139 W effekttab understøtter betydelig termisk gennemgang
• 61 nC total gate-ladning letter hurtige skifteovergange
• 20 V gate-source-grænse giver mulighed for robuste gate-drive-marginer
Anvendelser
• Velegnet til højstrømskontakttrin i strømforsyninger
• Ideel til synkron ensretning i omformere
• Anvendes sammen med motordrev, der kræver hurtig omskiftning
• Kan bruges til belastningsswitching i telekommunikations-strømsystemer
• Velegnet til kompakte strømmoduler til overflademontering
• Ideel til synkron ensretning i omformere
• Anvendes sammen med motordrev, der kræver hurtig omskiftning
• Kan bruges til belastningsswitching i telekommunikations-strømsystemer
• Velegnet til kompakte strømmoduler til overflademontering
Hvilken hustype skal jeg tillade i printkortfodaftrykket?
Enheden leveres i en otte-benet TDSON-pakke, der er beregnet til overflademonteret placering, så sørg for et kompatibelt jordmønster og termiske vias, hvis det er nødvendigt.
Hvor tåler den ekstreme omgivelsesforhold?
Komponenten er klassificeret til drift fra -55 °C op til 150 °C, hvilket giver mulighed for brug i anvendelser med bred termisk variation.
Hvilke hensyn til gate-driver kræves der for effektiv drift?
Med en typisk gate-ladning på 61 nC og en maksimal Vgs på 20 V skal du vælge en driver, der kan levere tilstrækkelig spidsstrøm og forblive inden for gate-spændingsgrænsen for at optimere skiftehastigheden.
Hvordan påvirker dens fremadgående spænding lavspændingsdesign?
Enheden udviser en fremadgående spænding på 0,8 V, hvilket påvirker beregninger af ledningsfald i lavspændingssystemer med høj strømstyrke og bør medtages i estimeringer af effekttab.
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 100 A 80 V Forbedring TDSON, BSC030N08NS5
- Infineon N-Kanal 80 A 80 V Forbedring TDSON, BSC070N10NS5
- Infineon N-Kanal 100 A 80 V Forbedring TDSON, BSC040N08NS5
- Infineon N-Kanal 74 A 80 V Forbedring TDSON, OptiMOS-TM5
- Infineon N-Kanal 131 A 80 V Forbedring TDSON, OptiMOS-TM5
- Infineon N-Kanal 23 A 80 V Forbedring TDSON, OptiMOS 3
- Infineon N-Kanal 55 A 80 V Forbedring TDSON, OptiMOS 3
- Infineon N-Kanal 100 A 80 V Forbedring TDSON, OptiMOS 3