MPN

Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 40 A 100 V Forbedring, 8 Ben, TSDSON, BSZ097N10NS5 Nej BSZ097N10NS5ATMA1

RS-varenummer:: 170-2342
Producentens varenummer:: BSZ097N10NS5ATMA1
Brand:: Infineon

Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 40 A 100 V Forbedring, 8 Ben, TSDSON, BSZ097N10NS5 Nej BSZ097N10NS5ATMA1

Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 10 enheder)*

Kr. 70,80

(ekskl. moms)

Kr. 88,50

(inkl. moms)

GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.

På lager

4.790 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager

Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder	Per stk.	Pr pakke*
10 - 40	Kr. 7,08	Kr. 70,80
50 - 90	Kr. 5,73	Kr. 57,30
100 - 240	Kr. 5,378	Kr. 53,78
250 - 490	Kr. 4,952	Kr. 49,52
500 +	Kr. 4,608	Kr. 46,08

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 170-2342
Producentens varenummer:: BSZ097N10NS5ATMA1
Brand:: Infineon

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Infineon
	Kanaltype	Type N
	Produkttype	MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	40A
	Drain source spænding maks. Vds	100V
	Emballagetype	TSDSON
	Serie	BSZ097N10NS5
	Monteringstype	Overflade
	Benantal	8
	Drain source modstand maks. Rds	13mΩ
	Kanalform	Forbedring
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Portkildespænding maks.	20 V
	Effektafsættelse maks. Pd	69W
	Gennemgangsspænding Vf	0.9V
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	22nC
	Driftstemperatur maks.	150°C
	Længde	3.4mm
	Højde	1.1mm
	Standarder/godkendelser	No
	Bredde	3.4 mm
	Bilindustristandarder	Nej

	Vælg alle
	Brand Infineon
	Kanaltype Type N
	Produkttype MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 40A
	Drain source spænding maks. Vds 100V
	Emballagetype TSDSON
	Serie BSZ097N10NS5
	Monteringstype Overflade
	Benantal 8
	Drain source modstand maks. Rds 13mΩ
	Kanalform Forbedring
	Min. driftstemperatur -55°C
	Portkildespænding maks. 20 V
	Effektafsættelse maks. Pd 69W
	Gennemgangsspænding Vf 0.9V
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 22nC
	Driftstemperatur maks. 150°C
	Længde 3.4mm
	Højde 1.1mm
	Standarder/godkendelser No
	Bredde 3.4 mm
	Bilindustristandarder Nej

OptiMOS™ 5 100 V, Infineon's nyeste generation af power MOSFET'er er specielt udviklet til synkron ensretning i telekommunikations- og server-strømforsyninger. Desuden kan disse enheder også benyttes i andre industrielle anvendelser som f.eks. solenergi, lavspændingsdrev og adaptere. Med syv forskellige huse har de nye OptiMOS™ 5 100V MOSFET’er giver branchens laveste R DS(on)

Optimeret til synkron ensretning

Velegnet til høj skiftefrekvens

Udgangskapacitetsreduktion på op til 44 %

R DS(on) reduktion på op til 44 %

Fordele:

Højeste systemeffektivitet

Færre skift og ledningstab

Mindre parallelisering nødvendig

Forøget effekttæthed

Lav udgangsspændingsoversving

Anvendelsesområder:

Telekommunikation

Server

Sol

Lavspændingsdrev

Lette elektriske køretøjer

Adapter

Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 40 A 100 V Forbedring, 8 Ben, TSDSON, BSZ097N10NS5 Nej BSZ097N10NS5ATMA1

GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.

Relaterede links