Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 40 A 100 V Forbedring, 8 Ben, TSDSON, BSZ097N10NS5 Nej BSZ097N10NS5ATMA1
- RS-varenummer:
- 170-2342
- Producentens varenummer:
- BSZ097N10NS5ATMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 10 enheder)*
Kr. 70,80
(ekskl. moms)
Kr. 88,50
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- Plus 4.790 enhed(er) afsendes fra 05. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | Kr. 7,08 | Kr. 70,80 |
| 50 - 90 | Kr. 5,73 | Kr. 57,30 |
| 100 - 240 | Kr. 5,378 | Kr. 53,78 |
| 250 - 490 | Kr. 4,952 | Kr. 49,52 |
| 500 + | Kr. 4,608 | Kr. 46,08 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 170-2342
- Producentens varenummer:
- BSZ097N10NS5ATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 40A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Emballagetype | TSDSON | |
| Serie | BSZ097N10NS5 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 13mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 69W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.9V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 22nC | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 3.4mm | |
| Højde | 1.1mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 3.4 mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 40A | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Emballagetype TSDSON | ||
Serie BSZ097N10NS5 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 13mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 69W | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.9V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 22nC | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 3.4mm | ||
Højde 1.1mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 3.4 mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
OptiMOS™ 5 100 V, Infineon's nyeste generation af power MOSFET'er er specielt udviklet til synkron ensretning i telekommunikations- og server-strømforsyninger. Desuden kan disse enheder også benyttes i andre industrielle anvendelser som f.eks. solenergi, lavspændingsdrev og adaptere. Med syv forskellige huse har de nye OptiMOS™ 5 100V MOSFETer giver branchens laveste R DS(on)
Optimeret til synkron ensretning
Velegnet til høj skiftefrekvens
Udgangskapacitetsreduktion på op til 44 %
R DS(on) reduktion på op til 44 %
Fordele:
Højeste systemeffektivitet
Færre skift og ledningstab
Mindre parallelisering nødvendig
Forøget effekttæthed
Lav udgangsspændingsoversving
Anvendelsesområder:
Telekommunikation
Server
Sol
Lavspændingsdrev
Lette elektriske køretøjer
Adapter
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 40 A 100 V TSDSON, OptiMOS™ 5 BSZ097N10NS5ATMA1
- Infineon N-Kanal 40 A 40 V TSDSON, OptiMOS™ 3 BSZ097N04LSGATMA1
- Infineon N-Kanal 40 A 30 V TSDSON, OptiMOS™ BSZ0904NSIATMA1
- Infineon N-Kanal 40 A 25 V TSDSON, OptiMOS™ BSZ060NE2LSATMA1
- Infineon N-Kanal 40 A 30 V TSDSON, OptiMOS™ 3 BSZ035N03MSGATMA1
- Infineon N-Kanal 40 A 30 V TSDSON, OptiMOS™ 3 BSZ050N03MSGATMA1
- Infineon N-Kanal 40 A 30 V TSDSON, OptiMOS™ 3 BSZ050N03LSGATMA1
- Infineon N-Kanal 126 A. 40 V TSDSON-8 FL, OptiMOS™ BSZ025N04LSATMA1
