Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 40 A 40 V Forbedring, 8 Ben, TSDSON, OptiMOS 3
- RS-varenummer:
- 754-5367
- Elfa Distrelec varenummer:
- 304-45-305
- Producentens varenummer:
- BSZ097N04LSGATMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 25,09
(ekskl. moms)
Kr. 31,36
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- Plus 26.420 enhed(er) afsendes fra 02. marts 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 5,018 | Kr. 25,09 |
| 50 - 120 | Kr. 4,476 | Kr. 22,38 |
| 125 - 245 | Kr. 4,216 | Kr. 21,08 |
| 250 - 495 | Kr. 2,764 | Kr. 13,82 |
| 500 + | Kr. 2,248 | Kr. 11,24 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 754-5367
- Elfa Distrelec varenummer:
- 304-45-305
- Producentens varenummer:
- BSZ097N04LSGATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 40A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Emballagetype | TSDSON | |
| Serie | OptiMOS 3 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 14.2mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 18nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 35W | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 1.1mm | |
| Længde | 3.4mm | |
| Bredde | 3.4 mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 40A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Emballagetype TSDSON | ||
Serie OptiMOS 3 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 14.2mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 18nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 35W | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 1.1mm | ||
Længde 3.4mm | ||
Bredde 3.4 mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon OptiMOS™3 Power MOSFET'er, op til 40 V
OptiMOS™ produkter findes i højtydende pakker til at løse de mest krævende opgaver, og de giver fuld fleksibilitet på begrænset plads. Disse Infineon-produkter er konstrueret til at opfylde og overstige kravene til energieffektivitet og effekttæthed i de skærpede næste-generations standarder for spændingsregulering i computere.
Hurtigt skiftende MOSFET til SMPS
Optimeret teknologi til DC/DC-konvertere
Kvalificeret i overensstemmelse med JEDEC1) til målanvendelser
N-kanal, logikniveau
Fremragende gate-opladning x R DS(til) produkt (FOM)
Meget lav modstand ved tændt R DS(on)
Blyfri belægning
MOSFET-transistorer, Infineon
Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFETer industristandard godkendt til brug i biler.
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 40 A 40 V Forbedring TSDSON, OptiMOS 3
- Infineon Type N-Kanal 126 A 40 V Forbedring TSDSON, OptiMOS
- Infineon Type N-Kanal 40 A 25 V Forbedring TSDSON, OptiMOS
- Infineon Type N-Kanal 40 A 30 V Forbedring TSDSON, OptiMOS
- Infineon Type N-Kanal 40 A 30 V Forbedring TSDSON, OptiMOS 3
- Infineon Type N-Kanal 114 A 40 V Forbedring TSDSON, OptiMOS-TM3
- Infineon Type N-Kanal 40 A 100 V Forbedring TSDSON, OptiMOS-TM3
- Infineon Type N-Kanal 40 A 60 V Forbedring TSDSON, OptiMOS
