Microchip Type N-Kanal, MOSFET, 300 mA 60 V Forbedring, 3 Ben, TO-92, TN2106 Nej
- RS-varenummer:
- 177-9692
- Producentens varenummer:
- TN2106N3-G
- Brand:
- Microchip
Indhold (1 pose af 1000 enheder)*
Kr. 3.411,00
(ekskl. moms)
Kr. 4.264,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- Plus 1.000 enhed(er) afsendes fra 01. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pose* |
|---|---|---|
| 1000 + | Kr. 3,411 | Kr. 3.411,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 177-9692
- Producentens varenummer:
- TN2106N3-G
- Brand:
- Microchip
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Microchip | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 300mA | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Emballagetype | TO-92 | |
| Serie | TN2106 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 5Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 740mW | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.8V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 5.33mm | |
| Længde | 5.08mm | |
| Bredde | 4.06 mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Microchip | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 300mA | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Emballagetype TO-92 | ||
Serie TN2106 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 5Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 740mW | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.8V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 5.33mm | ||
Længde 5.08mm | ||
Bredde 4.06 mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- TW
Transistoren med lav tærskel og optimeret tilstand (normalt off) benytter en lodret DMOS-struktur og velafprøvet silicium-gate produktionsproces. Denne kombination producerer en enhed med effekthåndteringsfunktionerne for bipolære transistorer med høj indgangsimpedans og positiv temperaturkoefficient integreret i MOS-enheder. Denne enhed, der har karakteristik af alle MOS-strukturer, er fri for termisk runaway og termisk induceret sekundært nedbrud. Vertikale DMOS FET’er er ideelt egnet til en bred vifte af switching- og forstærkningsopgaver, hvor meget lav tærskelspænding, høj gennemslagsspænding, høj indgangsimpedans, lav indgangskapacitet og hurtige skiftehastigheder ønskes.
Fri for sekundære nedbrud
Lavt krav til strømdrev
Nem parallelopsætning
Lav CISS og hurtigt skiftende hastigheder
God termisk stabilitet
Integreret source-drain-diode
Høj indgangsimpedans og høj forstærkning
Relaterede links
- Microchip N-Kanal 300 mA 60 V TO-92, TN2106 TN2106N3-G
- Microchip N-Kanal 280 mA 60 V TO-236, TN2106 TN2106K1-G
- Microchip N-Kanal 300 mA 60 V TO-92, VN2106 VN2106N3-G
- Microchip N-Kanal 230 mA 60 V TO-92 2N7008-G
- Microchip P-Kanal 250 mA 60 V TO-92 VP2106N3-G
- Microchip N-Kanal 230 mA 60 V TO-92 VN2222LL-G
- Microchip N-Kanal 175 mA 300 V Depletion TO-92 DN2530N3-G
- Microchip N-Kanal 200 mA 60 V TO-92, 2N7000 2N7000-G