Microchip Type P-Kanal, MOSFET, 160 mA 500 V Forbedring, 3 Ben, SOT-89, VP2450 Nej
- RS-varenummer:
- 177-9709
- Producentens varenummer:
- VP2450N8-G
- Brand:
- Microchip
Indhold (1 rulle af 2000 enheder)*
Kr. 21.184,00
(ekskl. moms)
Kr. 26.480,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 26. februar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 2000 + | Kr. 10,592 | Kr. 21.184,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 177-9709
- Producentens varenummer:
- VP2450N8-G
- Brand:
- Microchip
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Microchip | |
| Kanaltype | Type P | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 160mA | |
| Drain source spænding maks. Vds | 500V | |
| Emballagetype | SOT-89 | |
| Serie | VP2450 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 35Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 1.6W | |
| Gennemgangsspænding Vf | -1.8V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 4.6mm | |
| Bredde | 2.6 mm | |
| Højde | 1.6mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Microchip | ||
Kanaltype Type P | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 160mA | ||
Drain source spænding maks. Vds 500V | ||
Emballagetype SOT-89 | ||
Serie VP2450 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 35Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 1.6W | ||
Gennemgangsspænding Vf -1.8V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 4.6mm | ||
Bredde 2.6 mm | ||
Højde 1.6mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- US
Transistoren med lav tærskel og optimeret tilstand (normalt off) benytter en lodret DMOS-struktur og velafprøvet silicium-gate produktionsproces. Denne kombination producerer en enhed med effekthåndteringsfunktionerne for bipolære transistorer med høj indgangsimpedans og positiv temperaturkoefficient integreret i MOS-enheder. Denne enhed, der har karakteristik af alle MOS-strukturer, er fri for termisk runaway og termisk induceret sekundært nedbrud. Vertikale DMOS FET’er er ideelt egnet til en bred vifte af switching- og forstærkningsopgaver, hvor meget lav tærskelspænding, høj gennemslagsspænding, høj indgangsimpedans, lav indgangskapacitet og hurtige skiftehastigheder ønskes.
Fri for sekundære nedbrud
Lavt krav til strømdrev
Nem parallelopsætning
Lav CISS og hurtigt skiftende hastigheder
Høj indgangsimpedans og høj forstærkning
God termisk stabilitet
Integreret source-to-drain-diode
Relaterede links
- Microchip P-Kanal 160 mA 500 V SOT-89, VP2450 VP2450N8-G
- Microchip N-Kanal 500 mA 500 V SOT-89, VN2450 VN2450N8-G
- Microchip P-Kanal 480 mA 100 V SOT-89, TP2510 TP2510N8-G
- DiodesZetex P-Kanal 500 mA 20 V SOT-523 (SC-89), DMP DMP2900UT-7
- DiodesZetex N-Kanal 160 mA 50 V SOT-523 (SC-89) DMN55D0UT-7
- Microchip N-Kanal 250 mA 600 V SOT-89, VN2460 VN2460N8-G
- Microchip N-Kanal 730 mA 100 V SOT-89, TN2510 TN2510N8-G
- Microchip N-Kanal 730 mA 350 V Depletion SOT-89, DN3135 DN3135N8-G