Vishay N-Kanal, Effekt MOSFET, 5 A 500 V Forbedring, 3 Ben, JEDEC TO-220AB, IRF830A

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatter

Indhold (1 rør af 50 enheder)*

Kr. 484,70

(ekskl. moms)

Kr. 605,90

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 500 enhed(er) afsendes fra 19. oktober 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder
Per stk.
Pr rør*
50 - 50Kr. 9,694Kr. 484,70
100 - 200Kr. 9,209Kr. 460,45
250 +Kr. 8,725Kr. 436,25

*Vejledende pris

RS-varenummer:
178-0834
Producentens varenummer:
IRF830APBF
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Kanaltype

N

Produkttype

Effekt MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

5A

Drain source spænding maks. Vds

500V

Emballagetype

JEDEC TO-220AB

Serie

IRF830A

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

1.4Ω

Kanalform

Forbedring

Portkildespænding maks.

-30V, +30V

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

24nC

Effektafsættelse maks. Pd

74W

Gennemgangsspænding Vf

1.5V

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

RoHS

Bredde

4.7mm

Højde

9.01mm

Længde

10.41mm

Bilindustristandarder

Nej

Vishay IRF830A seriens Power MOSFET, 500 V drain source-spænding, 5 A kontinuerlig drain-strøm - IRF830APBF


Denne effekt-MOSFET er en højspændings N-kanal-forstærkningstransistor, der er designet til koblings- og strømkonverteringsopgaver i industriel og kommerciel elektronik. Den fungerer over et bredt temperaturområde til krævende miljøer og leveres i en TO-220AB-pakke med gennemgående hul til nem montering og termisk styring.

Egenskaber og fordele:


• 500 V drain-klassificering muliggør højspændingskoblingsanvendelser
• 1.4 Ω maks. Rds reducerer ledningstab under belastning
• 5 A kontinuerlig afløbsstrøm understøtter design med moderat strøm
• 74 W maks. effekttab muliggør betydelig varmehåndtering
• 24 nC typisk gate-ladning giver forudsigelig skifteydeevne
• 30 V gate-tolerance muliggør robuste gate-drevmargener

Anvendelser


• Velegnet til omskiftning af højspændingsforsyning i invertere
• Ideel til industrielle skiftetrin for motordrev
• Anvendes sammen med diskrete strømforsyninger i laboratorieudstyr
• Kan bruges til resistiv og induktiv belastningsswitching
• Velegnet til hullede prototype- og reparationsprojekter

Hvilke hensyn skal der tages til den termiske ydeevne, når den bruges?


Termisk styring skal tage hensyn til den nominelle tabsstyrke på 74 W

et passende kølelegeme og korrekt montering i TO-220AB-retningen opretholder forbindelsestemperaturer inden for sikre grænser.

Hvordan påvirker gate-drevet skifteadfærden?


Med en typisk gate-ladning på 24 nC og en maksimal Vgs på 30 V skal gate-drive-kredsløb være dimensioneret til at give tilstrækkelig strøm til de ønskede stignings- og faldtider, samtidig med at gate-spændingen holdes under den angivne grænse.

Hvilke miljøgrænser definerer driftsområdet?


Enheden er normeret til at fungere fra -55 °C op til 150 °C, så systemdesign bør sikre, at omgivende og termiske modstandsværdier holder forbindelsestemperaturen inden for dette område.

Er den velegnet til design i bilkvalitet?


Den er ikke klassificeret som bilkvalitet

Designere bør overveje bil-specifikke alternativer, når der kræves kvalifikationer på køretøjsniveau.

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.