Vishay Type N-Kanal, Effekt MOSFET, 5 A 500 V Forbedring, 3 Ben, JEDEC TO-220AB, IRF830A
- RS-varenummer:
- 178-0834
- Producentens varenummer:
- IRF830APBF
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 rør af 50 enheder)*
Kr. 484,70
(ekskl. moms)
Kr. 605,90
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 600 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rør* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | Kr. 9,694 | Kr. 484,70 |
| 100 - 200 | Kr. 9,209 | Kr. 460,45 |
| 250 + | Kr. 8,725 | Kr. 436,25 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 178-0834
- Producentens varenummer:
- IRF830APBF
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | Effekt MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 5A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 500V | |
| Emballagetype | JEDEC TO-220AB | |
| Serie | IRF830A | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 1.4Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.5V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 30V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 74W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 24nC | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Bredde | 4.7mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Højde | 9.01mm | |
| Længde | 10.41mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype Effekt MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 5A | ||
Drain source spænding maks. Vds 500V | ||
Emballagetype JEDEC TO-220AB | ||
Serie IRF830A | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 1.4Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.5V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 30V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 74W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 24nC | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Bredde 4.7mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Højde 9.01mm | ||
Længde 10.41mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Vishay IRF830A seriens Power MOSFET, 500 V maksimal drain source-spænding, 5 A maksimal kontinuerlig drain-strøm - IRF830APBF
Denne effekt-MOSFET er en N-kanalforbedringsenhed med gennemgående hul, der er designet til højspændingsswitching i industriel elektronik. Den er beregnet til anvendelser, hvor der kræves robust drain-til-kilde-spændingshåndtering og moderat strømkapacitet, hvilket giver en kompakt løsning til strømswitching på varmeafledte enheder.
Egenskaber og fordele:
• 500 V Vds muliggør højspænding i industrielle kredsløb • 5 A kontinuerlig afløbsstrøm understøtter stabil belastningsdrift • 1,4 Ω Rds(on) minimerer ledningstab under belastning • 74 W maksimal effekttab for effektiv termisk håndtering • 24 nC typisk gate-ladning giver mulighed for forudsigelig skifteadfærd • Vgs ±30 V mærkeværdi beskytter porten under styre-signaludflugter
Anvendelser
• Velegnet til frontender til højspændingsmotordrev • Ideel til switch-mode strømforsyninger i industrielt udstyr • Anvendes til strømkonverteringsmoduler, der kræver montering gennem hul • Kan bruges til relæudskiftning i kontrolpaneler
Hvilken monteringsmetode er nødvendig for pålidelig varmeafledning?
Enheden leveres i en TO-220AB-pakke til montering gennem hul og nyder godt af en kølelegeme, der er fastgjort til fangen for at opnå nominel effekttab.
Hvordan påvirker gate-opladningen koblingsydeevnen?
En typisk gate-ladning på 24 nC ved nominelle forhold bestemmer den krævede driverstyrke og påvirker koblingstab og stige-/faldtider i højhastighedsanvendelser.
Hvilket temperaturområde kan den arbejde inden for?
Komponenten er mærket til at fungere fra -55 °C op til 150 °C, hvilket giver mulighed for brug i barske industrielle termiske miljøer.
Hvilken beskyttelse skal overvejes for port- og afløbsoverspænding?
Designere bør inkludere portbeskyttelse for at forblive inden for ±30 V og implementere snubbering eller klemnetværk for at begrænse transienter på afløbet ved høje spændinger.
Relaterede links
- Vishay Type N-Kanal 5 A 500 V Forbedring TO-220, IRF830A
- Vishay Type N-Kanal 5 A 500 V Forbedring TO-263, IRF830A
- STMicroelectronics Type N-Kanal 7.2 A 500 V Forbedring TO-220
- STMicroelectronics Type N-Kanal 12 A 500 V Forbedring TO-220, MDmesh
- STMicroelectronics Type N-Kanal 21 A 500 V Forbedring TO-220, MDmesh
- Vishay Type N-Kanal 2.5 A 500 V Forbedring TO-220, IRF
- Vishay Type N-Kanal 8 A 500 V Forbedring TO-220, IRF840A
- onsemi Type N-Kanal 22 A 500 V Forbedring TO-220, UniFET