Vishay Siliconix 2 Type N-Kanal Dobbelt, Effekt MOSFET, 30 A 30 V Forbedring, 8 Ben, PowerPAIR 3 x 3, TrenchFET Nej

Se alle MOSFET

Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*

Kr. 7.989,00

(ekskl. moms)

Kr. 9.987,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Restlager hos RS
  • Sidste 3.000 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
3000 +Kr. 2,663Kr. 7.989,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
178-3702
Producentens varenummer:
SiZ348DT-T1-GE3
Brand:
Vishay Siliconix
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay Siliconix

Produkttype

Effekt MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

30A

Drain source spænding maks. Vds

30V

Emballagetype

PowerPAIR 3 x 3

Serie

TrenchFET

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

10mΩ

Kanalform

Forbedring

Effektafsættelse maks. Pd

16.7W

Portkildespænding maks.

20 V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

12.1nC

Min. driftstemperatur

150°C

Driftstemperatur maks.

-55°C

Transistorkonfiguration

Dobbelt

Bredde

3 mm

Højde

0.75mm

Længde

3mm

Standarder/godkendelser

No

Antal elementer per chip

2

Bilindustristandarder

Nej

RoHS Status: Undtaget

TrenchFET® Gen IV power-MOSFET

Højside og lavside MOSFET'er danner en optimeret kombination til 50 % driftscyklus

Optimeret RDS - Qg og RDS - Qgd FOM løfter effektivitet til højfrekvens-switching

Relaterede links