Vishay Siliconix 2 N-Kanal Dobbelt, Effekt MOSFET, 30 A 30 V Forbedring, 8 Ben, PowerPAIR 3 x 3, TrenchFET
- RS-varenummer:
- 178-3932
- Producentens varenummer:
- SiZ348DT-T1-GE3
- Brand:
- Vishay Siliconix
Kan ikke leveres i øjeblikket
Vi ved ikke, om dette produkt kommer på lager igen. RS har planer om at tage det ud af sortimentet inden længe.
- RS-varenummer:
- 178-3932
- Producentens varenummer:
- SiZ348DT-T1-GE3
- Brand:
- Vishay Siliconix
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay Siliconix | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | Effekt MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 30A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 30V | |
| Emballagetype | PowerPAIR 3 x 3 | |
| Serie | TrenchFET | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 10mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 12.1nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Portkildespænding maks. | -16V, +20V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 16.7W | |
| Transistorkonfiguration | Dobbelt | |
| Driftstemperatur maks. | +150°C | |
| Længde | 3mm | |
| Højde | 0.75mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 3mm | |
| Antal elementer per chip | 2 | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay Siliconix | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype Effekt MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 30A | ||
Drain source spænding maks. Vds 30V | ||
Emballagetype PowerPAIR 3 x 3 | ||
Serie TrenchFET | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 10mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 12.1nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Portkildespænding maks. -16V, +20V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 16.7W | ||
Transistorkonfiguration Dobbelt | ||
Driftstemperatur maks. +150°C | ||
Længde 3mm | ||
Højde 0.75mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 3mm | ||
Antal elementer per chip 2 | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
RoHS Status: Undtaget
- COO (Country of Origin):
- TW
TrenchFET® Gen IV power-MOSFET
Højside og lavside MOSFET'er danner en optimeret kombination til 50 % driftscyklus
Optimeret RDS - Qg og RDS - Qgd FOM løfter effektivitet til højfrekvens-switching
Relaterede links
- Vishay Siliconix 2 N-Kanal Dobbelt 30 A 30 V Forbedring PowerPAIR 3 x 3, TrenchFET
- Vishay 2 N-Kanal Dobbelt 257 A 30 V Forbedring PowerPAIR 6 x 5F, TrenchFET
- Vishay 2 N-Kanal Dobbelt 69.3 A 30 V Forbedring PowerPAIR 3 x 3S, TrenchFET
- Vishay 2 N-Kanal Dobbelt 258 A 30 V Forbedring PowerPAIR 6 x 5F, TrenchFET
- Vishay 2 N-Kanal Dobbelt 32.5 A 70 V Forbedring PowerPAIR 3 x 3S, TrenchFET
- Vishay 2 N-Kanal Dobbelt 31.8 A 70 V Forbedring PowerPAIR 3 x 3S, TrenchFET
- Vishay Siliconix N-Kanal 100 A 30 V Forbedring SO-8, TrenchFET
- Vishay 2 N-Kanal Dobbelt 38 A 60 V Forbedring PowerPAIR 3 x 3FDC, TrenchFET Gen IV