onsemi N-Kanal, MOSFET, 17 A 650 V, 4 ben, Power88 FCMT180N65S3

Se alle MOSFET
Kan ikke leveres i øjeblikket
Vi ved ikke, om dette produkt kommer på lager igen. RS har planer om at tage det ud af sortimentet inden længe.
Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
178-4655
Producentens varenummer:
FCMT180N65S3
Brand:
onsemi
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

onsemi

Kanaltype

N

Drain-strøm kontinuerlig maks.

17 A

Drain source spænding maks.

650 V

Kapslingstype

Power88

Monteringstype

Overflademontering

Benantal

4

Drain source modstand maks.

180 mΩ

Kanalform

Enhancement

Maks. tærskelspænding for port

4.5V

Mindste tærskelspænding for port

2.5V

Effektafsættelse maks.

139 W

Transistorkonfiguration

Enkelt

Gate source spænding maks.

±30 V

Driftstemperatur maks.

+150 °C

Gate-ladning ved Vgs typisk

33 nC ved 10 V

Længde

8mm

Antal elementer per chip

1

Bredde

8mm

Højde

1.05mm

Gennemgangsspænding for diode

1.2V

Driftstemperatur min.

-55 °C

COO (Country of Origin):
PH
SUPERFET III MOSFET is ON Semiconductor’s brand−new high voltage super−junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on−resistance and lower gate charge performance. This advanced technology is tailored to minimize conduction loss, provide superior switching performance, and withstand extreme dv/dt rate.

700 V @ TJ = 150 oC
Leadless Ultra-thin SMD package
Kelvin contact
Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 33 nC)
Low Effective Output Capacitance (Typ. Coss(eff.) = 305 pF)
Optimized Capacitance
Typ. RDS(on) = 152 mΩ
Moisture Sensitivity Level 1 guarantee
Internal Gate Resistance: 0.5 Ω
Benefits:
Higher system reliability at low temperature operation
High power density
Low gate noise and switching loss
Low switching loss
Low switching loss
Lower peak Vds and lower Vgs oscillation
Applications:
Computing
Telecommunication
Industrial
End Products:
Telecom / Server
Adapter
LED Lighting

Relaterede links