Vishay Type N-Kanal Enkelt, MOSFET, 21 A 600 V, TO-220, E
- RS-varenummer:
- 180-7342
- Producentens varenummer:
- SIHA22N60E-E3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 rør af 50 enheder)*
Kr. 948,40
(ekskl. moms)
Kr. 1.185,50
(inkl. moms)
Tilføj 50 enheder for at opnå gratis levering
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 12. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rør* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | Kr. 18,968 | Kr. 948,40 |
| 100 - 200 | Kr. 17,829 | Kr. 891,45 |
| 250 + | Kr. 16,122 | Kr. 806,10 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 180-7342
- Producentens varenummer:
- SIHA22N60E-E3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 21A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 600V | |
| Serie | E | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.18Ω | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Portkildespænding maks. | ±30 V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 35W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 86nC | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Transistorkonfiguration | Enkelt | |
| Bredde | 10.3 mm | |
| Længde | 13.8mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 21A | ||
Drain source spænding maks. Vds 600V | ||
Serie E | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.18Ω | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Portkildespænding maks. ±30 V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 35W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 86nC | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Transistorkonfiguration Enkelt | ||
Bredde 10.3 mm | ||
Længde 13.8mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Vishay SIHA22N60E er en N-kanal Power MOSFET i E-serien, der har en drain-to-source-spænding (VdS) på 600 V. Gate-to-source-spænding (VGS) er 30 V. Den har tynd ledning TIL -220 FULLPAK-hus. Den har modstandsdygtighed over for dræn til kilde (RDS.) 0,18 ohm ved 10 VGS. Maks. drænstrøm 8 A.
Lavt tal for fortjeneste (FOM) Ron x QG
Lav indgangskapacitet (Ciss)
Færre skift og ledningstab
Relaterede links
- Vishay Type N-Kanal Enkelt 21 A 600 V E
- Vishay Type N-Kanal 29 A 600 V Forbedring TO-220, E
- Vishay Type N-Kanal 40 A 600 V Forbedring TO-220, E
- Vishay Type N-Kanal 30 A 600 V Forbedring TO-220, E
- Vishay 1 Type N-Kanal Enkelt 21 A 600 V JEDEC TO-220AB, EF
- Infineon Type N-Kanal 16.8 A 600 V N IPA
- Infineon Type N-Kanal 13.8 A 600 V N IPA
- Infineon Type N-Kanal 8.4 A 600 V N TO-220, CoolMOS
