Vishay 1 Type N-Kanal Enkelt, MOSFET, 60 A 100 V, 8 Ben, PowerPAK SO-8

RS-varenummer:: 180-7355
Producentens varenummer:: SIR882ADP-T1-GE3
Brand:: Vishay

Vishay 1 Type N-Kanal Enkelt, MOSFET, 60 A 100 V, 8 Ben, PowerPAK SO-8

Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*

Kr. 15.213,00

(ekskl. moms)

Kr. 19.017,00

(inkl. moms)

GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.

Restlager hos RS

Sidste 3.000 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager

Enheder	Per stk.	Pr rulle*
3000 +	Kr. 5,071	Kr. 15.213,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 180-7355
Producentens varenummer:: SIR882ADP-T1-GE3
Brand:: Vishay

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Vishay
	Kanaltype	Type N
	Produkttype	MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	60A
	Drain source spænding maks. Vds	100V
	Emballagetype	PowerPAK SO-8
	Monteringstype	Overflade
	Benantal	8
	Drain source modstand maks. Rds	0.0087Ω
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	19.5nC
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Portkildespænding maks.	20 V
	Effektafsættelse maks. Pd	83W
	Gennemgangsspænding Vf	1.1V
	Driftstemperatur maks.	150°C
	Transistorkonfiguration	Enkelt
	Bredde	5.26 mm
	Længde	6.25mm
	Højde	1.12mm
	Standarder/godkendelser	No
	Antal elementer per chip	1
	Bilindustristandarder	Nej

	Vælg alle
	Brand Vishay
	Kanaltype Type N
	Produkttype MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 60A
	Drain source spænding maks. Vds 100V
	Emballagetype PowerPAK SO-8
	Monteringstype Overflade
	Benantal 8
	Drain source modstand maks. Rds 0.0087Ω
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 19.5nC
	Min. driftstemperatur -55°C
	Portkildespænding maks. 20 V
	Effektafsættelse maks. Pd 83W
	Gennemgangsspænding Vf 1.1V
	Driftstemperatur maks. 150°C
	Transistorkonfiguration Enkelt
	Bredde 5.26 mm
	Længde 6.25mm
	Højde 1.12mm
	Standarder/godkendelser No
	Antal elementer per chip 1
	Bilindustristandarder Nej

Datasheet

COO (Country of Origin):: CN

Vishay MOSFET

Vishay overflademonteret N-kanal PowerPAK-SO-8 MOSFET er et nyt produkt med en drænkildespænding på 100 V og en maksimal gate-source spænding på 20 V. Den har en drænkildemodstand på 8,7 mohm ved en gate-source spænding på 10 V. Den har et maksimalt effekttab på 83 W og kontinuerlig drænstrøm på 60 A. Den har en min. og en maks. driftsspænding på hhv. 4,5 V og 10 V. Dette produkt er optimeret til lavere skift og ledningstab. MOSFET'en giver fremragende effektivitet sammen med en lang og produktiv levetid uden at gå på kompromis med ydeevne eller funktionalitet.

Egenskaber og fordele

• Halogenfri

• blyfri (Pb) komponent

Driftstemperaturområde mellem -55 150 C og • C.

• TrenchFET Power MOSFET til hurtig omskiftning

Anvendelsesområder

• DC/DC primær sidekontakt

• industriområder

• Telecom/server 48 V, full/half-bridge DC/DC

Certifikater

• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• RG-testet

• UIS-testet