Vishay 1 N-Kanal Enkelt, MOSFET, 60 A 100 V, 8 Ben, PowerPAK SO-8
- RS-varenummer:
- 180-7871
- Producentens varenummer:
- SIR882ADP-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Indhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 109,06
(ekskl. moms)
Kr. 136,33
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Restlager hos RS
- Sidste 5.800 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 + | Kr. 21,812 | Kr. 109,06 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 180-7871
- Producentens varenummer:
- SIR882ADP-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 60A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Emballagetype | PowerPAK SO-8 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.0087Ω | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 19.5nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 83W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.1V | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Transistorkonfiguration | Enkelt | |
| Bredde | 5.26mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 1.12mm | |
| Længde | 6.25mm | |
| Antal elementer per chip | 1 | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 60A | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Emballagetype PowerPAK SO-8 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.0087Ω | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 19.5nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 83W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.1V | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Transistorkonfiguration Enkelt | ||
Bredde 5.26mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 1.12mm | ||
Længde 6.25mm | ||
Antal elementer per chip 1 | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Vishay MOSFET
Vishay overflademonteret N-kanal PowerPAK-SO-8 MOSFET er et nyt produkt med en drænkildespænding på 100 V og en maksimal gate-source spænding på 20 V. Den har en drænkildemodstand på 8,7 mohm ved en gate-source spænding på 10 V. Den har et maksimalt effekttab på 83 W og kontinuerlig drænstrøm på 60 A. Den har en min. og en maks. driftsspænding på hhv. 4,5 V og 10 V. Dette produkt er optimeret til lavere skift og ledningstab. MOSFET'en giver fremragende effektivitet sammen med en lang og produktiv levetid uden at gå på kompromis med ydeevne eller funktionalitet.
Egenskaber og fordele
• Halogenfri
• blyfri (Pb) komponent
Driftstemperaturområde mellem -55 150 C og • C.
• TrenchFET Power MOSFET til hurtig omskiftning
Anvendelsesområder
• DC/DC primær sidekontakt
• industriområder
• Telecom/server 48 V, full/half-bridge DC/DC
Certifikater
• ANSI/ESD S20.20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007
• RG-testet
• UIS-testet