Vishay Type N-Kanal Dobbelt, MOSFET, -60 A -30 V Forbedring, 8 Ben, PowerPack, SI7997DP
- RS-varenummer:
- 180-7902
- Producentens varenummer:
- SI7997DP-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 118,48
(ekskl. moms)
Kr. 148,10
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Restlager hos RS
- Sidste 3.495 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 23,696 | Kr. 118,48 |
| 50 - 120 | Kr. 20,166 | Kr. 100,83 |
| 125 - 245 | Kr. 18,97 | Kr. 94,85 |
| 250 - 495 | Kr. 17,758 | Kr. 88,79 |
| 500 + | Kr. 16,59 | Kr. 82,95 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 180-7902
- Producentens varenummer:
- SI7997DP-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | -60A | |
| Drain source spænding maks. Vds | -30V | |
| Emballagetype | PowerPack | |
| Serie | SI7997DP | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 5.5mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | -1.2V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 51nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 29W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Transistorkonfiguration | Dobbelt | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 6.25mm | |
| Højde | 1.12mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id -60A | ||
Drain source spænding maks. Vds -30V | ||
Emballagetype PowerPack | ||
Serie SI7997DP | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 5.5mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf -1.2V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 51nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 29W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Transistorkonfiguration Dobbelt | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 6.25mm | ||
Højde 1.12mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Vishay MOSFET
Vishay MOSFET er en P-kanal, PowerPAK-SO-8 pakke, som er et nyt produkt med en drænkildespænding på 30 V og en maksimal gate-source-spænding på 20 V. Den har en drænkildemodstand på 5,5 Mohm ved en portkildespænding på 10 V. Den har et maksimalt effekttab på 46 W. Dette produkt er optimeret til lavere skift og ledningstab. MOSFET'en giver fremragende effektivitet sammen med en lang og produktiv levetid uden at gå på kompromis med ydeevne eller funktionalitet.
Egenskaber og fordele
• halogen- og blyfrit (Pb) komponent
Driftstemperaturområde mellem -55 150 C og • C.
• PWM optimeret
• TrenchFET Power MOSFET
Anvendelsesområder
• adapterkontakter
• Batteristyring
• Belastningskontakter
Relaterede links
- Vishay Type N-Kanal Dobbelt -60 A -30 V Forbedring PowerPack, SI7997DP
- Vishay Type N-Kanal Dobbelt 4.1 A 150 V Forbedring PowerPack, SI7956DP
- Vishay Type P-Kanal Dobbelt -4.5 A -30 V Forbedring PowerPack, SIA931DJ
- Vishay Type N-Kanal Dobbelt 6.5 A 40 V Forbedring PowerPack, SI7216DN
- Vishay Dobbelt N-kanal-Kanal 7.9 A 60 V Forbedring SO-8, SI9945CDY
- Vishay 2 Type N-Kanal Dobbelt 38 A 60 V Forbedring PowerPAIR 3 x 3FDC, TrenchFET Gen IV
- Vishay 2 Type P MOSFET 8 Ben TrenchFET
- Vishay 2 Type N-Kanal Dobbelt 101 A 30 V Forbedring PowerPAK 1212, SiSF06DN