Vishay Dobbelt N-kanal-Kanal, MOSFET, 7.9 A 60 V Forbedring, 8 Ben, SO-8, SI9945CDY

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatter

Indhold (1 bånd af 1 enhed)*

Kr. 4,56

(ekskl. moms)

Kr. 5,70

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 05. juli 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Bånd
Pr bånd
1 - 24Kr. 4,56
25 - 99Kr. 3,07
100 +Kr. 1,65

*Vejledende pris

RS-varenummer:
736-345
Producentens varenummer:
SI9945CDY-T1-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Kanaltype

Dobbelt N-kanal

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

7.9A

Drain source spænding maks. Vds

60V

Serie

SI9945CDY

Emballagetype

SO-8

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

0.032Ω

Kanalform

Forbedring

Portkildespænding maks.

20V

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

3.6W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

3.3nC

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

RoHS

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
IL
Vishay N-kanal MOSFET er designet til effektiv strømstyring. Den er velegnet til forskellige anvendelser, herunder belastningskontakter og LCD-TV-inverterkredsløb.

TrenchFET-teknologi giver reducerede omskiftningstab

Optimerede Qg-, Qgd- og Qgs-forhold forbedrer ydeevnen

100 % testet for Rg og UIS sikrer pålidelighed

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.