Vishay Type N-Kanal Dobbelt, MOSFET, 6.5 A 40 V Forbedring, 8 Ben, PowerPack, SI7216DN Nej SI7216DN-T1-E3

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 5 enheder)*

Kr. 62,47

(ekskl. moms)

Kr. 78,09

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 2.915 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
5 - 45Kr. 12,494Kr. 62,47
50 - 120Kr. 11,13Kr. 55,65
125 - 245Kr. 8,748Kr. 43,74
250 - 495Kr. 7,252Kr. 36,26
500 +Kr. 6,618Kr. 33,09

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
180-7922
Producentens varenummer:
SI7216DN-T1-E3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

6.5A

Drain source spænding maks. Vds

40V

Serie

SI7216DN

Emballagetype

PowerPack

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

25mΩ

Kanalform

Forbedring

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

12.5nC

Portkildespænding maks.

20 V

Effektafsættelse maks. Pd

20.8W

Min. driftstemperatur

-50°C

Driftstemperatur maks.

150°C

Transistorkonfiguration

Dobbelt

Standarder/godkendelser

No

Bredde

3.4 mm

Længde

3.4mm

Højde

1.12mm

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
CN
Vishay SI7216DN er en dobbelt N-kanal MOSFET, der har en drain-to-source (VdS) spænding på 40 V. gate-til-kilde spænding (VGS) er 20 V. Den har Power PAK 1212-8-hus. Den har modstandsdygtighed over for dræn til kilde (RDS.) 0,032 ohm ved 10 VGS og 0,039 ohm ved 4,5 VGS. Maks. drænstrøm 6 A.

Trench FET Power MOSFET

Power PAK-hus med lav termisk modstand, lille størrelse og lav 1.07 mm profil

100 % Rg og UIS-testet

I overensstemmelse med RoHS-direktivet 2002/95/EC

Relaterede links