Vishay Type N-Kanal Dobbelt, MOSFET, 6.5 A 40 V Forbedring, 8 Ben, PowerPack, SI7216DN
- RS-varenummer:
- 180-7922
- Producentens varenummer:
- SI7216DN-T1-E3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 74,05
(ekskl. moms)
Kr. 92,55
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 2.915 enhed(er) afsendes fra 08. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 14,81 | Kr. 74,05 |
| 50 - 120 | Kr. 13,194 | Kr. 65,97 |
| 125 - 245 | Kr. 10,352 | Kr. 51,76 |
| 250 - 495 | Kr. 8,602 | Kr. 43,01 |
| 500 + | Kr. 7,84 | Kr. 39,20 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 180-7922
- Producentens varenummer:
- SI7216DN-T1-E3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 6.5A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Serie | SI7216DN | |
| Emballagetype | PowerPack | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 25mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Min. driftstemperatur | -50°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 12.5nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 20.8W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Transistorkonfiguration | Dobbelt | |
| Højde | 1.12mm | |
| Længde | 3.4mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 6.5A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Serie SI7216DN | ||
Emballagetype PowerPack | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 25mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Min. driftstemperatur -50°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 12.5nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 20.8W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Transistorkonfiguration Dobbelt | ||
Højde 1.12mm | ||
Længde 3.4mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Vishay SI7216DN er en dobbelt N-kanal MOSFET, der har en drain-to-source (VdS) spænding på 40 V. gate-til-kilde spænding (VGS) er 20 V. Den har Power PAK 1212-8-hus. Den har modstandsdygtighed over for dræn til kilde (RDS.) 0,032 ohm ved 10 VGS og 0,039 ohm ved 4,5 VGS. Maks. drænstrøm 6 A.
Trench FET Power MOSFET
Power PAK-hus med lav termisk modstand, lille størrelse og lav 1.07 mm profil
100 % Rg og UIS-testet
I overensstemmelse med RoHS-direktivet 2002/95/EC
Relaterede links
- Vishay Type N-Kanal Dobbelt 6.5 A 40 V Forbedring PowerPack, SI7216DN
- Vishay Type N-Kanal Dobbelt 4.1 A 150 V Forbedring PowerPack, SI7956DP
- Vishay Type N-Kanal Dobbelt -60 A -30 V Forbedring PowerPack, SI7997DP
- Vishay Type P-Kanal Dobbelt -4.5 A -30 V Forbedring PowerPack, SIA931DJ
- Vishay 2 Type P MOSFET 8 Ben TrenchFET
- Vishay N-kanal-Kanal 170 A 40 V Forbedring PowerPack, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay N-kanal-Kanal 396 A 40 V Forbedring PowerPack, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay N-kanal-Kanal 222 A 80 V Forbedring PowerPack, TrenchFET AEC-Q101