Vishay 2 Type N-Kanal Dobbelt, MOSFET, 6.5 A 60 V Forbedring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET Nej SI4946BEY-T1-E3

Se alle MOSFET
Kan ikke leveres i øjeblikket
Vi ved ikke, om denne vare kommer på lager igen – den er ved at blive udfaset af producenten
Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
180-7732
Producentens varenummer:
SI4946BEY-T1-E3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

6.5A

Drain source spænding maks. Vds

60V

Serie

TrenchFET

Emballagetype

SO-8

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

0.052Ω

Kanalform

Forbedring

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

9.2nC

Effektafsættelse maks. Pd

3.7W

Portkildespænding maks.

±20 V

Min. driftstemperatur

-55°C

Transistorkonfiguration

Dobbelt

Driftstemperatur maks.

175°C

Længde

5mm

Standarder/godkendelser

RoHS 2002/95/EC, IEC 61249-2-21

Højde

1.75mm

Bredde

4 mm

Antal elementer per chip

2

Bilindustristandarder

Nej

Vishay MOSFET


Vishay overflademonteret dobbelt N-kanal MOSFET er et nyt produkt med en drænkildespænding på 60 V. Den har en drænkildemodstand på 41 Mohm ved en portkildespænding på 10 V. Den har kontinuerlig drænstrøm på 6,5 A og en maksimal nominel effekt på 3,7 W. Den kan anvendes i belastningsafbrydere til bærbare enheder. MOSFET er optimeret til lavere skift og ledningstab. MOSFET'en giver fremragende effektivitet sammen med en lang og produktiv levetid uden at gå på kompromis med ydeevne eller funktionalitet.

Egenskaber og fordele


• Halogenfri

• blyfri (Pb)

Driftstemperaturområde mellem -55 175 C og • C.

• TrenchFET Power MOSFET

Certifikater


• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• IEC 61249-2-21

• RG-testet

Relaterede links