Vishay 2 Type N-Kanal Dobbelt, MOSFET, 6.5 A 60 V Forbedring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET

Se alle MOSFET
Kan ikke leveres i øjeblikket
Vi ved ikke, om denne vare kommer på lager igen – den er ved at blive udfaset af producenten
RS-varenummer:
180-7299
Producentens varenummer:
SI4946BEY-T1-E3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

6.5A

Drain source spænding maks. Vds

60V

Emballagetype

SO-8

Serie

TrenchFET

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

0.052Ω

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

9.2nC

Portkildespænding maks.

±20 V

Effektafsættelse maks. Pd

3.7W

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Transistorkonfiguration

Dobbelt

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

RoHS 2002/95/EC, IEC 61249-2-21

Bredde

4 mm

Længde

5mm

Højde

1.75mm

Antal elementer per chip

2

Bilindustristandarder

Nej

Vishay MOSFET


Vishay overflademonteret dobbelt N-kanal MOSFET er et nyt produkt med en drænkildespænding på 60 V. Den har en drænkildemodstand på 41 Mohm ved en portkildespænding på 10 V. Den har kontinuerlig drænstrøm på 6,5 A og en maksimal nominel effekt på 3,7 W. Den kan anvendes i belastningsafbrydere til bærbare enheder. MOSFET er optimeret til lavere skift og ledningstab. MOSFET'en giver fremragende effektivitet sammen med en lang og produktiv levetid uden at gå på kompromis med ydeevne eller funktionalitet.

Egenskaber og fordele


• Halogenfri

• blyfri (Pb)

Driftstemperaturområde mellem -55 175 C og • C.

• TrenchFET Power MOSFET

Certifikater


• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• IEC 61249-2-21

• RG-testet

Relaterede links

Recently viewed