Vishay Type P-Kanal, MOSFET, 50 A 60 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, TrenchFET AEC-Q101 SQD50P06-15L_GE3

Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 5 enheder)*

Kr. 114,44

(ekskl. moms)

Kr. 143,05

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Restlager hos RS
  • 125 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
  • Sidste 1.360 enhed(er) afsendes fra 05. januar 2026
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
5 - 45Kr. 22,888Kr. 114,44
50 - 120Kr. 19,462Kr. 97,31
125 - 245Kr. 17,622Kr. 88,11
250 - 495Kr. 14,212Kr. 71,06
500 +Kr. 12,386Kr. 61,93

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
180-7967
Producentens varenummer:
SQD50P06-15L_GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Kanaltype

Type P

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

50A

Drain source spænding maks. Vds

60V

Serie

TrenchFET

Emballagetype

TO-252

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

20mΩ

Kanalform

Forbedring

Portkildespænding maks.

20 V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

98nC

Effektafsættelse maks. Pd

136W

Min. driftstemperatur

-55°C

Gennemgangsspænding Vf

-1.5V

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

No

Bredde

6.73 mm

Højde

2.38mm

Længde

10.41mm

Bilindustristandarder

AEC-Q101

COO (Country of Origin):
TW

Vishay MOSFET


Vishay overflademonteret P-kanal MOSFET er et nyt produkt med en drænkildespænding på 60 V og en maksimal gate-kildespænding på 20 V. Den har en drænkildemodstand på 15,5 Mohm ved en portkildespænding på 10 V. Den har kontinuerlig drænstrøm på 50 A og maksimalt effekttab på 136W. Den minimale og maksimale driftsspænding for denne transistor er hhv. 4,5 V og 10 V. Den anvendes til brug i biler. MOSFET er optimeret til lavere skift og ledningstab. MOSFET'en giver fremragende effektivitet sammen med en lang og produktiv levetid uden at gå på kompromis med ydeevne eller funktionalitet.

Egenskaber og fordele


• Halogenfri

• blyfri (Pb)

Driftstemperaturområde mellem -55 175 C og • C.

• hus med lav termisk modstand

• TrenchFET Power MOSFET

Anvendelsesområder


• adapterkontakt

• Belastningskontakter

Certifikater


• AEC-Q101

• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• RG-testet

• UIS-testet

Relaterede links