Vishay Type P-Kanal, MOSFET, 50 A 60 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, TrenchFET AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 180-7967
- Producentens varenummer:
- SQD50P06-15L_GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 131,05
(ekskl. moms)
Kr. 163,80
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Restlager hos RS
- 115 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
- Sidste 1.360 enhed(er) afsendes fra 14. oktober 2026
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 26,21 | Kr. 131,05 |
| 50 - 120 | Kr. 22,276 | Kr. 111,38 |
| 125 - 245 | Kr. 20,182 | Kr. 100,91 |
| 250 - 495 | Kr. 16,276 | Kr. 81,38 |
| 500 + | Kr. 14,182 | Kr. 70,91 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 180-7967
- Producentens varenummer:
- SQD50P06-15L_GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type P | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 50A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Serie | TrenchFET | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 20mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 98nC | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 136W | |
| Gennemgangsspænding Vf | -1.5V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Længde | 10.41mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 2.38mm | |
| Bredde | 6.73mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type P | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 50A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Serie TrenchFET | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 20mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 98nC | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 136W | ||
Gennemgangsspænding Vf -1.5V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Længde 10.41mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 2.38mm | ||
Bredde 6.73mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- TW
Vishay MOSFET
Vishay overflademonteret P-kanal MOSFET er et nyt produkt med en drænkildespænding på 60 V og en maksimal gate-kildespænding på 20 V. Den har en drænkildemodstand på 15,5 Mohm ved en portkildespænding på 10 V. Den har kontinuerlig drænstrøm på 50 A og maksimalt effekttab på 136W. Den minimale og maksimale driftsspænding for denne transistor er hhv. 4,5 V og 10 V. Den anvendes til brug i biler. MOSFET er optimeret til lavere skift og ledningstab. MOSFET'en giver fremragende effektivitet sammen med en lang og produktiv levetid uden at gå på kompromis med ydeevne eller funktionalitet.
Egenskaber og fordele
• Halogenfri
• blyfri (Pb)
Driftstemperaturområde mellem -55 175 C og • C.
• hus med lav termisk modstand
• TrenchFET Power MOSFET
Anvendelsesområder
• adapterkontakt
• Belastningskontakter
Certifikater
• AEC-Q101
• ANSI/ESD S20.20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007
• RG-testet
• UIS-testet