Vishay Type P-Kanal, MOSFET, 50 A 60 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, TrenchFET AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 180-7967
- Producentens varenummer:
- SQD50P06-15L_GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 114,44
(ekskl. moms)
Kr. 143,05
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- 1.485 enhed(er) afsendes fra 24. marts 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 22,888 | Kr. 114,44 |
| 50 - 120 | Kr. 19,462 | Kr. 97,31 |
| 125 - 245 | Kr. 17,622 | Kr. 88,11 |
| 250 - 495 | Kr. 14,212 | Kr. 71,06 |
| 500 + | Kr. 12,386 | Kr. 61,93 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 180-7967
- Producentens varenummer:
- SQD50P06-15L_GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | Type P | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 50A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Serie | TrenchFET | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 20mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 136W | |
| Gennemgangsspænding Vf | -1.5V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 98nC | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Højde | 2.38mm | |
| Bredde | 6.73 mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 10.41mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype Type P | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 50A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Serie TrenchFET | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 20mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 136W | ||
Gennemgangsspænding Vf -1.5V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 98nC | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Højde 2.38mm | ||
Bredde 6.73 mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 10.41mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- TW
Vishay MOSFET
Vishay overflademonteret P-kanal MOSFET er et nyt produkt med en drænkildespænding på 60 V og en maksimal gate-kildespænding på 20 V. Den har en drænkildemodstand på 15,5 Mohm ved en portkildespænding på 10 V. Den har kontinuerlig drænstrøm på 50 A og maksimalt effekttab på 136W. Den minimale og maksimale driftsspænding for denne transistor er hhv. 4,5 V og 10 V. Den anvendes til brug i biler. MOSFET er optimeret til lavere skift og ledningstab. MOSFET'en giver fremragende effektivitet sammen med en lang og produktiv levetid uden at gå på kompromis med ydeevne eller funktionalitet.
Egenskaber og fordele
• Halogenfri
• blyfri (Pb)
Driftstemperaturområde mellem -55 175 C og • C.
• hus med lav termisk modstand
• TrenchFET Power MOSFET
Anvendelsesområder
• adapterkontakt
• Belastningskontakter
Certifikater
• AEC-Q101
• ANSI/ESD S20.20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007
• RG-testet
• UIS-testet
Relaterede links
- Vishay Type P-Kanal 50 A 60 V Forbedring TO-252, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay Type P-Kanal 1.7 A 60 V Forbedring TO-236, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay Siliconix Type P-Kanal 100 A 30 V Forbedring TO-252, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay Siliconix Type P-Kanal 100 A 40 V Forbedring TO-252, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay Type N-Kanal 100 A 60 V Forbedring TO-252, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay P-kanal-Kanal -5.3 A -60 V Forbedring TSOP-6, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay P-kanal-Kanal -222 A -60 V Forbedring PowerPAK (8x8L), TrenchFET AEC-Q101
- Vishay Type N-Kanal 25 A 60 V Forbedring TO-252, SQ Rugged AEC-Q101
