Vishay Siliconix Type P-Kanal, MOSFET, 100 A 40 V Forbedring, 4 Ben, TO-252, TrenchFET AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 178-3716
- Producentens varenummer:
- SQD40061EL_GE3
- Brand:
- Vishay Siliconix
Indhold (1 rulle af 2000 enheder)*
Kr. 11.658,00
(ekskl. moms)
Kr. 14.572,00
(inkl. moms)
Tilføj 2000 enheder for at opnå gratis levering
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 15. juli 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 2000 + | Kr. 5,829 | Kr. 11.658,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 178-3716
- Producentens varenummer:
- SQD40061EL_GE3
- Brand:
- Vishay Siliconix
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay Siliconix | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type P | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 100A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Serie | TrenchFET | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 4 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 10mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 185nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | -1.5V | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 107W | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Bredde | 2.38 mm | |
| Længde | 6.73mm | |
| Højde | 6.22mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay Siliconix | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type P | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 100A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Serie TrenchFET | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 4 | ||
Drain source modstand maks. Rds 10mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 185nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf -1.5V | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 107W | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Bredde 2.38 mm | ||
Længde 6.73mm | ||
Højde 6.22mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
RoHS Status: Undtaget
- COO (Country of Origin):
- TW
TrenchFET® power MOSFET
Hus med lav termisk modstand
Relaterede links
- Vishay Siliconix Type P-Kanal 100 A 40 V Forbedring TO-252, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay Siliconix Type P-Kanal 100 A 30 V Forbedring TO-252, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay Siliconix Type P-Kanal 9.4 A 200 V Forbedring SO-8, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay Siliconix Type P-Kanal 2.68 A 20 V Forbedring SC-70, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay Siliconix Type P-Kanal 30 A 40 V Forbedring SO-8, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay Siliconix Type P-Kanal 16 A 80 V Forbedring SO-8, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay Siliconix Type P-Kanal 10 A 30 V Forbedring SC-70, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay Siliconix Type P-Kanal 10 A 40 V Forbedring SC-70-6L, TrenchFET AEC-Q101