Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 100 A 60 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, TrenchFET AEC-Q101 SQD50034E_GE3
- RS-varenummer:
- 188-5081
- Producentens varenummer:
- SQD50034E_GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 10 enheder)*
Kr. 91,56
(ekskl. moms)
Kr. 114,45
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Restlager hos RS
- Sidste 1.030 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | Kr. 9,156 | Kr. 91,56 |
| 100 - 240 | Kr. 8,699 | Kr. 86,99 |
| 250 - 490 | Kr. 7,323 | Kr. 73,23 |
| 500 - 990 | Kr. 6,867 | Kr. 68,67 |
| 1000 + | Kr. 6,41 | Kr. 64,10 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 188-5081
- Producentens varenummer:
- SQD50034E_GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 100A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Serie | TrenchFET | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.0039Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 107W | |
| Portkildespænding maks. | ±20 V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 90nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.5V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Længde | 10.41mm | |
| Standarder/godkendelser | AEC-Q101 | |
| Højde | 4.57mm | |
| Bredde | 9.65 mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 100A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Serie TrenchFET | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.0039Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 107W | ||
Portkildespænding maks. ±20 V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 90nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.5V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Længde 10.41mm | ||
Standarder/godkendelser AEC-Q101 | ||
Højde 4.57mm | ||
Bredde 9.65 mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Bilkøretøj N-kanal 40 V (D-S) 175 °C MOSFET
TrenchFET® power MOSFET
Hus med lav termisk modstand
Relaterede links
- Vishay Type N-Kanal 100 A 60 V Forbedring TO-252, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay Type P-Kanal 50 A 60 V Forbedring TO-252, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay Type P-Kanal 50 A 60 V Forbedring TO-252, TrenchFET AEC-Q101 SQD50P06-15L_GE3
- Vishay Type N-Kanal 25 A 60 V Forbedring TO-252, SQ Rugged AEC-Q101
- Vishay Type N-Kanal 25 A 60 V Forbedring TO-252, SQ Rugged AEC-Q101 SQD25N06-22L_GE3
- Vishay Type N-Kanal 100 A 40 V Forbedring TO-252, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay Type N-Kanal 30 A 40 V Forbedring TO-252, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay Type N-Kanal 30 A 40 V Forbedring TO-252, TrenchFET AEC-Q101 SQD40052EL_GE3