Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 30 A 40 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, TrenchFET AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 228-2947
- Producentens varenummer:
- SQD40052EL_GE3
- Brand:
- Vishay
Kan ikke leveres i øjeblikket
Vi ved ikke, om dette produkt kommer på lager igen. RS har planer om at tage det ud af sortimentet inden længe.
- RS-varenummer:
- 228-2947
- Producentens varenummer:
- SQD40052EL_GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 30A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Serie | TrenchFET | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 6mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.83V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 34.5nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 62W | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | AEC-Q101 | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 30A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Serie TrenchFET | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 6mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.83V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 34.5nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 62W | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser AEC-Q101 | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Vishay TrenchFET N-kanal til brug i biler er 40 V MOSFET.
100 % Rg og UIS-testet
Relaterede links
- Vishay Type N-Kanal 30 A 40 V Forbedring TO-252, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay Type N-Kanal 100 A 40 V Forbedring TO-252, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay Type N-Kanal 100 A 60 V Forbedring TO-252, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay Type N-Kanal 25 A 60 V Forbedring TO-252, SQ Rugged AEC-Q101
- Vishay Type P-Kanal 50 A 60 V Forbedring TO-252, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay Siliconix Type P-Kanal 100 A 40 V Forbedring TO-252, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay Siliconix Type P-Kanal 100 A 30 V Forbedring TO-252, TrenchFET AEC-Q101
- DiodesZetex Type N-Kanal 10.7 A 12 V Forbedring, TO-252 AEC-Q101