Vishay Type N-Kanal, TrenchFET Power MOSFET, 25 A 60 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, SQ Rugged AEC-Q101 SQD25N06-22L_GE3
- RS-varenummer:
- 787-9480
- Producentens varenummer:
- SQD25N06-22L_GE3
- Brand:
- Vishay
Indhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 75,40
(ekskl. moms)
Kr. 94,25
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Restlager hos RS
- 25 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
- Sidste 1.880 enhed(er) afsendes fra 14. januar 2026
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 + | Kr. 15,08 | Kr. 75,40 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 787-9480
- Producentens varenummer:
- SQD25N06-22L_GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | TrenchFET Power MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 25A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Serie | SQ Rugged | |
| Monteringstype | Printmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.022Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 62W | |
| Portkildespænding maks. | ±20 V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 50nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.5V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Længde | 6.73mm | |
| Standarder/godkendelser | IEC 61249-2-21, RoHS 2002/95/EC | |
| Højde | 2.38mm | |
| Bredde | 6.22 mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype TrenchFET Power MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 25A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Serie SQ Rugged | ||
Monteringstype Printmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.022Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 62W | ||
Portkildespænding maks. ±20 V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 50nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.5V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Længde 6.73mm | ||
Standarder/godkendelser IEC 61249-2-21, RoHS 2002/95/EC | ||
Højde 2.38mm | ||
Bredde 6.22 mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
N-Channel MOSFET, robust SQ-serie til bilindustrien, Vishay Semiconductor
SQ-serien af MOSFETer fra Vishay Semiconductor er designet til alle biler, der kræver robusthed og høj pålidelighed.
Fordelene ved SQ robust serie af Mosfets
• AEC-Q101 kvalificeret
• Forbindelsestemperatur op til +175 °C
• Lav modstand ved n- og p-kanal TrenchFET® teknologier
• Innovative pladsbesparende huse
MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor
Approvals
AEC-Q101
Relaterede links
- Vishay Type N-Kanal 25 A 60 V Forbedring TO-252, SQ Rugged AEC-Q101
- Vishay Type N-Kanal 6 A 20 V Forbedring SOT-23, SQ Rugged AEC-Q101
- Vishay Type P-Kanal 11 A 60 V Forbedring TO-252, SQ Rugged AEC-Q101
- Vishay Type P-Kanal 50 A 30 V Forbedring TO-252, SQ Rugged AEC-Q101
- Vishay Type N-Kanal 6 A 20 V Forbedring SOT-23, SQ Rugged AEC-Q101 SQ2310ES-T1_BE3
- Vishay Type N-Kanal 40 A 60 V Forbedring TO-252, SQ Rugged AEC-Q101
- Vishay Type P-Kanal 50 A 30 V Forbedring TO-252, SQ Rugged AEC-Q101 SQD45P03-12_GE3
- Vishay Type P-Kanal 11 A 60 V Forbedring TO-252, SQ Rugged AEC-Q101 SQD19P06-60L_GE3
