Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 30 A 40 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, TrenchFET AEC-Q101 SQD40052EL_GE3
- RS-varenummer:
- 228-2948
- Producentens varenummer:
- SQD40052EL_GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 10 enheder)*
Kr. 68,29
(ekskl. moms)
Kr. 85,36
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Restlager hos RS
- Sidste 1.690 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | Kr. 6,829 | Kr. 68,29 |
| 100 - 240 | Kr. 6,418 | Kr. 64,18 |
| 250 - 490 | Kr. 5,804 | Kr. 58,04 |
| 500 - 990 | Kr. 5,468 | Kr. 54,68 |
| 1000 + | Kr. 5,124 | Kr. 51,24 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 228-2948
- Producentens varenummer:
- SQD40052EL_GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 30A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Serie | TrenchFET | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 6mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.83V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 34.5nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 62W | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | AEC-Q101 | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 30A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Serie TrenchFET | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 6mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.83V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 34.5nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 62W | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser AEC-Q101 | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Vishay TrenchFET N-kanal til brug i biler er 40 V MOSFET.
100 % Rg og UIS-testet
Relaterede links
- Vishay N-Kanal 30 A 40 V DPAK (TO-252), TrenchFET SQD40052EL_GE3
- Vishay Siliconix P-Kanal 100 A 40 V DPAK (TO-252), TrenchFET SQD40061EL_GE3
- Vishay N-Kanal 11 3 ben AEC-Q101 TrenchFET® SQD10950E_GE3
- Vishay N-Kanal 100 A 60 V DPAK (TO-252) Automotive, TrenchFET® SQD50034EL_GE3
- Vishay Siliconix P-Kanal 100 A 30 V DPAK (TO-252), TrenchFET SQD40031EL_GE3
- onsemi N-Kanal 45 A 40 V DPAK (TO-252) NVD5C478NLT4G
- onsemi N-Kanal 88 A 40 V DPAK (TO-252) NVD5C454NLT4G
- onsemi N-Kanal 83 A 40 V DPAK (TO-252) NVD5C454NT4G
