Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 100 A 40 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, TrenchFET AEC-Q101 SQD40020E_GE3
- RS-varenummer:
- 188-5048
- Producentens varenummer:
- SQD40020E_GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 10 enheder)*
Kr. 90,51
(ekskl. moms)
Kr. 113,14
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- 1.960 enhed(er) afsendes fra 09. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | Kr. 9,051 | Kr. 90,51 |
| 100 - 240 | Kr. 8,602 | Kr. 86,02 |
| 250 - 490 | Kr. 7,248 | Kr. 72,48 |
| 500 - 990 | Kr. 6,792 | Kr. 67,92 |
| 1000 + | Kr. 6,336 | Kr. 63,36 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 188-5048
- Producentens varenummer:
- SQD40020E_GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 100A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Serie | TrenchFET | |
| Monteringstype | Printmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.00233Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.5V | |
| Portkildespænding maks. | ±20 V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 84nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 107W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Længde | 10.41mm | |
| Standarder/godkendelser | AEC-Q101 | |
| Højde | 4.57mm | |
| Bredde | 9.65 mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 100A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Serie TrenchFET | ||
Monteringstype Printmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.00233Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.5V | ||
Portkildespænding maks. ±20 V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 84nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 107W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Længde 10.41mm | ||
Standarder/godkendelser AEC-Q101 | ||
Højde 4.57mm | ||
Bredde 9.65 mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Bilkøretøj N-kanal 40 V (D-S) 175 °C MOSFET
TrenchFET® power MOSFET
Hus med lav termisk modstand
Relaterede links
- Vishay N-Kanal 100 A 40 V DPAK (TO-252) AEC-Q101 SQD40020E_GE3
- Vishay N-Kanal 100 A 40 V DPAK (TO-252) AEC-Q101 SQD40020EL_GE3
- Toshiba N-Kanal 65 A 40 V DPAK (TO-252) AEC-Q101 TK65S04N1L
- Toshiba N-Kanal 100 A 40 V DPAK (TO-252) AEC-Q101 TK100S04N1L
- Vishay N-Kanal 100 A 40 V DPAK (TO-252) AEC-Q101 SQR40020ER_GE3
- onsemi N-Kanal 163 A 40 V DPAK (TO-252), NVD5C434N AEC-Q101 NVD5C434NT4G
- onsemi N-Kanal 59 A 40 V DPAK (TO-252), NVD5C464N AEC-Q101 NVD5C464NT4G
- Toshiba P-Kanal 60 A 40 V DPAK (TO-252) AEC-Q101 TJ60S04M3L
