Vishay 1 Type N-Kanal Enkelt, Effekt MOSFET, 2.5 A 500 V
- RS-varenummer:
- 180-8659
- Producentens varenummer:
- IRF820ASPBF
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 67,47
(ekskl. moms)
Kr. 84,34
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Restlager hos RS
- Sidste 990 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 13,494 | Kr. 67,47 |
| 50 - 120 | Kr. 12,148 | Kr. 60,74 |
| 125 - 245 | Kr. 11,46 | Kr. 57,30 |
| 250 - 495 | Kr. 10,802 | Kr. 54,01 |
| 500 + | Kr. 10,112 | Kr. 50,56 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 180-8659
- Producentens varenummer:
- IRF820ASPBF
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | Effekt MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 2.5A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 500V | |
| Drain source modstand maks. Rds | 3Ω | |
| Portkildespænding maks. | ±30 V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 17nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 50W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Transistorkonfiguration | Enkelt | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Bredde | 10.67 mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS 2002/95/EC, IEC 61249-2-21 | |
| Længde | 2.79mm | |
| Antal elementer per chip | 1 | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype Effekt MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 2.5A | ||
Drain source spænding maks. Vds 500V | ||
Drain source modstand maks. Rds 3Ω | ||
Portkildespænding maks. ±30 V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 17nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 50W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Transistorkonfiguration Enkelt | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Bredde 10.67 mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS 2002/95/EC, IEC 61249-2-21 | ||
Længde 2.79mm | ||
Antal elementer per chip 1 | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Vishay IRF820AS er en N-kanals effekt MOSFET med dræn-til-kilde (Vds) spænding på 500 V. Gate-til-kilde spændingen (VGS) er 30 V. Den har D2PAK (TO-263) og I2PAK (TO-262) hus. Den har en dræn-til-kilde modstand (RDS) på 3 ohm ved 10 VGS. Maksimal afløbsstrøm 17 A.
Lav gate-opladning Qg resulterer i et enkelt drevkrav
Forbedret gate, lavine og dynamisk dV/dt robusthed
Fuldt karakteriseret kapacitet og lavinspænding og strøm
Relaterede links
- Vishay 1 Type N-Kanal Enkelt 2.5 A 500 V Nej IRF820ASPBF
- Vishay 1 Type N-Kanal Enkelt 3.3 A 500 V Nej
- Vishay 1 Type N-Kanal Enkelt 3.3 A 500 V Nej IRFR420APBF
- Vishay Type N-Kanal Enkelt 11 A 500 V, TO-263 Nej
- Vishay Type N-Kanal Enkelt 11 A 500 V, TO-263 Nej IRFS11N50APBF
- Vishay 1 Type N-Kanal Enkelt 5 A 500 V, 3 Ben Nej
- Vishay 1 Type N-Kanal Enkelt 3.1 A 500 V, TO-220FP Nej
- Vishay 1 Type N-Kanal Enkelt 3.1 A 500 V, TO-220FP Nej IRFI830GPBF
