onsemi Type N-Kanal, MOSFET, 44 A 650 V Forbedring, 3 Ben, TO-263, SuperFET III MOSFET Easy-drive AEC-Q101 NVB072N65S3

Se alle MOSFET

Indhold (1 pakke af 2 enheder)*

Kr. 96,82

(ekskl. moms)

Kr. 121,02

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Restlager hos RS
  • Sidste 770 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
2 +Kr. 48,41Kr. 96,82

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
186-1461
Producentens varenummer:
NVB072N65S3
Brand:
onsemi
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

onsemi

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

44A

Drain source spænding maks. Vds

650V

Serie

SuperFET III MOSFET Easy-drive

Emballagetype

TO-263

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

107mΩ

Kanalform

Forbedring

Portkildespænding maks.

30 V

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

312W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

82nC

Driftstemperatur maks.

150°C

Bredde

9.65 mm

Længde

10.67mm

Højde

4.58mm

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

AEC-Q101

Ikke i overensstemmelse med RoHS

SuperFET® III MOSFET er ON Semiconductors helt nye højspændings Super-Junction (SJ) MOSFET-serie, der benytter ladebalance-teknologi for fremragende lav modstand ved tændt og lavere portopladningsydeevne. Denne avancerede teknologi er skræddersyet til at minimere ledningsevnetab, give fremragende skifteevne og modstå ekstrem dv/dt-hastighed. Dermed medvirker SUPERFET III MOSFET Easy drive til at håndtere EMI-problemer og giver mulighed for nemmere designimplementering.

700 V VED TJ = 150 °C.

Meget lav portopladning (typ. Qg = 78 nC)

Lavt effektivt udgangskapacitet (typ. Coss(eff.) = 715 pF)

PPAP-kapacitet

Typ. RDS(on) = 63 mΩ

Højere pålidelighed ved drift ved lav temperatur

Lavere skiftetab

PPAP-kapacitet

Anvendelsesområder

HV DC/DC-KONVERTER

Slutprodukter

Indbygget Oplader

DC/DC konverter

Relaterede links