onsemi Type N-Kanal, MOSFET, 44 A 650 V Forbedring, 3 Ben, TO-263, SuperFET III MOSFET Easy-drive AEC-Q101 NVB072N65S3
- RS-varenummer:
- 186-1461
- Producentens varenummer:
- NVB072N65S3
- Brand:
- onsemi
Indhold (1 pakke af 2 enheder)*
Kr. 96,82
(ekskl. moms)
Kr. 121,02
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- 770 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 2 + | Kr. 48,41 | Kr. 96,82 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 186-1461
- Producentens varenummer:
- NVB072N65S3
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 44A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 650V | |
| Serie | SuperFET III MOSFET Easy-drive | |
| Emballagetype | TO-263 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 107mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | 30 V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 82nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 312W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 4.58mm | |
| Bredde | 9.65 mm | |
| Længde | 10.67mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 44A | ||
Drain source spænding maks. Vds 650V | ||
Serie SuperFET III MOSFET Easy-drive | ||
Emballagetype TO-263 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 107mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. 30 V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 82nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 312W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 4.58mm | ||
Bredde 9.65 mm | ||
Længde 10.67mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Ikke i overensstemmelse med RoHS
SuperFET® III MOSFET er ON Semiconductors helt nye højspændings Super-Junction (SJ) MOSFET-serie, der benytter ladebalance-teknologi for fremragende lav modstand ved tændt og lavere portopladningsydeevne. Denne avancerede teknologi er skræddersyet til at minimere ledningsevnetab, give fremragende skifteevne og modstå ekstrem dv/dt-hastighed. Dermed medvirker SUPERFET III MOSFET Easy drive til at håndtere EMI-problemer og giver mulighed for nemmere designimplementering.
700 V VED TJ = 150 °C.
Meget lav portopladning (typ. Qg = 78 nC)
Lavt effektivt udgangskapacitet (typ. Coss(eff.) = 715 pF)
PPAP-kapacitet
Typ. RDS(on) = 63 mΩ
Højere pålidelighed ved drift ved lav temperatur
Lavere skiftetab
PPAP-kapacitet
Anvendelsesområder
HV DC/DC-KONVERTER
Slutprodukter
Indbygget Oplader
DC/DC konverter
Relaterede links
- onsemi Type N-Kanal 44 A 650 V Forbedring TO-263, SuperFET III MOSFET Easy-drive AEC-Q101
- onsemi Type N-Kanal 44 A 650 V Forbedring TO-247, SuperFET III MOSFET Easy-drive AEC-Q101 NVHL072N65S3
- onsemi Type N-Kanal 24 A 650 V Forbedring TO-263, SUPERFET III Nej
- onsemi Type N-Kanal 24 A 650 V Forbedring TO-263, SUPERFET III Nej FCB125N65S3
- onsemi Type N-Kanal 24 A 650 V N TDFN, SUPERFET III Nej
- onsemi Type N-Kanal 16 A 650 V N TDFN, SUPERFET III Nej
- onsemi Type N-Kanal 30 A 650 V N TDFN, SUPERFET III Nej
- onsemi Type N-Kanal 30 A 650 V N TDFN, SUPERFET III Nej NTMT095N65S3H