Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 120 A 40 V Forbedring, 3 Ben, TO-263, SQM40041EL AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 188-5006
- Producentens varenummer:
- SQM40041EL_GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 121,33
(ekskl. moms)
Kr. 151,66
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Restlager hos RS
- Sidste 505 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 24,266 | Kr. 121,33 |
| 50 - 120 | Kr. 20,66 | Kr. 103,30 |
| 125 - 245 | Kr. 19,418 | Kr. 97,09 |
| 250 - 495 | Kr. 18,222 | Kr. 91,11 |
| 500 + | Kr. 16,98 | Kr. 84,90 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 188-5006
- Producentens varenummer:
- SQM40041EL_GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 120A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Serie | SQM40041EL | |
| Emballagetype | TO-263 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.0034Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.5V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 288nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 157W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Længde | 10.41mm | |
| Højde | 4.57mm | |
| Standarder/godkendelser | AEC-Q101 | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 120A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Serie SQM40041EL | ||
Emballagetype TO-263 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.0034Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.5V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 288nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 157W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Længde 10.41mm | ||
Højde 4.57mm | ||
Standarder/godkendelser AEC-Q101 | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Bil P-kanal 40 V (D-S) 175 °C MOSFET.
TrenchFET® power MOSFET
Hus med lav termisk modstand
Relaterede links
- Vishay Type N-Kanal 120 A 40 V Forbedring TO-263, SQM40041EL AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 120 A Forbedring iPB AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 120 A 40 V Forbedring iPB AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 100 A 120 V Forbedring iPB AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 120 A 40 V Forbedring TO-263, IAUT AEC-Q101
- STMicroelectronics Type N-Kanal 120 A 40 V Forbedring TO-263, STripFET II AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 120 A 80 V Forbedring TO-263, OptiMOS -T2 AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 120 A 60 V Forbedring TO-263, OptiMOS-T2 AEC-Q101
