Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 100 A 60 V Forbedring, 3 Ben, TO-263, SQM50034E AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 188-5022
- Producentens varenummer:
- SQM50034E_GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 108,16
(ekskl. moms)
Kr. 135,20
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Restlager hos RS
- Sidste 5 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 21,632 | Kr. 108,16 |
| 50 - 120 | Kr. 19,478 | Kr. 97,39 |
| 125 - 245 | Kr. 18,58 | Kr. 92,90 |
| 250 - 495 | Kr. 17,308 | Kr. 86,54 |
| 500 + | Kr. 16,246 | Kr. 81,23 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 188-5022
- Producentens varenummer:
- SQM50034E_GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 100A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Emballagetype | TO-263 | |
| Serie | SQM50034E | |
| Monteringstype | Printmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.0039Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | ±20 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 150W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 58nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.5V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Bredde | 9.65 mm | |
| Længde | 10.41mm | |
| Højde | 4.57mm | |
| Standarder/godkendelser | AEC-Q101 | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 100A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Emballagetype TO-263 | ||
Serie SQM50034E | ||
Monteringstype Printmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.0039Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. ±20 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 150W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 58nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.5V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Bredde 9.65 mm | ||
Længde 10.41mm | ||
Højde 4.57mm | ||
Standarder/godkendelser AEC-Q101 | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Bilkøretøj N-kanal 60 V (D-S) 175 °C MOSFET.
TrenchFET® power MOSFET
Hus med lav termisk modstand
Relaterede links
- Vishay Type N-Kanal 100 A 60 V Forbedring TO-263, SQM50034E AEC-Q101
- STMicroelectronics Type N-Kanal 60 A 60 V Forbedring TO-263, STripFET II AEC-Q101
- STMicroelectronics Type N-Kanal 60 A 60 V Forbedring TO-263, STripFET II AEC-Q101 STB60NF06LT4
- Infineon Type N-Kanal 80 A 60 V Forbedring TO-263, iPB AEC-Q101
- Vishay Type N-Kanal 100 A 60 V Forbedring TO-263, SQM50034EL AEC-Q101
- onsemi Type N-Kanal 20 A 60 V Forbedring TO-263, NTD AEC-Q101
- onsemi Type N-Kanal 80 A 60 V Forbedring TO-263, PowerTrench AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 80 A 60 V Forbedring TO-263, iPB AEC-Q101 IPB80N06S4L07ATMA2
