Vishay N-Kanal, MOSFET, 100 A 60 V Forbedring, 3 Ben, TO-263, SQM50034EL AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 200-6790
- Producentens varenummer:
- SQM50034EL_GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 25 enheder)*
Kr. 332,10
(ekskl. moms)
Kr. 415,13
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 21. juni 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | Kr. 13,284 | Kr. 332,10 |
| 50 - 100 | Kr. 10,897 | Kr. 272,43 |
| 125 - 225 | Kr. 10,233 | Kr. 255,83 |
| 250 - 600 | Kr. 9,832 | Kr. 245,80 |
| 625 + | Kr. 9,299 | Kr. 232,48 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 200-6790
- Producentens varenummer:
- SQM50034EL_GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 100A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Serie | SQM50034EL | |
| Emballagetype | TO-263 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 5mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 150W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 90nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.5V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 10.41mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 4.82mm | |
| Højde | 9.66mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 100A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Serie SQM50034EL | ||
Emballagetype TO-263 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 5mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 150W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 90nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.5V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 10.41mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 4.82mm | ||
Højde 9.66mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Vishay SQM50034EL_GE3 er en N-kanal 60 V (D-S) 175 °C MOSFET til brug i biler.
TrenchFET® power MOSFET
Hus med lav termisk modstand
100 % Rg og UIS-testet
AEC-Q101 kvalificeret
Relaterede links
- Vishay N-Kanal 100 A 60 V Forbedring TO-263, SQM50034EL AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 120 A Forbedring iPB AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 180 A Forbedring iPB AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 90 A Forbedring iPB AEC-Q101
- Texas Instruments N-Kanal 200 A 100 V Forbedring, TO-263 AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 100 A 40 V Forbedring iPB AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 180 A 100 V Forbedring iPB AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 160 A 40 V Forbedring iPB AEC-Q101
