Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 100 A 60 V Forbedring, 1 Ben, TO-263, SQM50034EL AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 200-6790
- Producentens varenummer:
- SQM50034EL_GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 25 enheder)*
Kr. 332,85
(ekskl. moms)
Kr. 416,05
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 28. juli 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | Kr. 13,314 | Kr. 332,85 |
| 50 - 100 | Kr. 10,918 | Kr. 272,95 |
| 125 - 225 | Kr. 10,254 | Kr. 256,35 |
| 250 - 600 | Kr. 9,853 | Kr. 246,33 |
| 625 + | Kr. 9,32 | Kr. 233,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 200-6790
- Producentens varenummer:
- SQM50034EL_GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 100A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Serie | SQM50034EL | |
| Emballagetype | TO-263 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 1 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 5mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 90nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.5V | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 150W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 10.41mm | |
| Højde | 9.66mm | |
| Bredde | 4.82 mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 100A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Serie SQM50034EL | ||
Emballagetype TO-263 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 1 | ||
Drain source modstand maks. Rds 5mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 90nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.5V | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 150W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 10.41mm | ||
Højde 9.66mm | ||
Bredde 4.82 mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Vishay SQM50034EL_GE3 er en N-kanal 60 V (D-S) 175 °C MOSFET til brug i biler.
TrenchFET® power MOSFET
Hus med lav termisk modstand
100 % Rg og UIS-testet
AEC-Q101 kvalificeret
Relaterede links
- Vishay N-Kanal 100 A 60 V D2PAK (TO-263) Automotive, TrenchFET® SQM50034EL_GE3
- Vishay N-Kanal 100 A 40 V D2PAK (TO-263) Automotive, TrenchFET® SQM40020EL_GE3
- Vishay N-Kanal 100 A 60 V DPAK (TO-252) Automotive, TrenchFET® SQD50034EL_GE3
- Vishay N-Kanal 11 3 ben AEC-Q101 TrenchFET® SQD10950E_GE3
- Vishay N-Kanal 350 A 40 V PowerPAK SO-8L Automotive, TrenchFET® SQJA36EP-T1_GE3
- Vishay N-Kanal 16 A 40 V PowerPAK 1212-8W Automotive, TrenchFET® SQS484CENW-T1_GE3
- Vishay Siliconix N-Kanal 150 A 40 V D2PAK (TO-263), TrenchFET AEC-Q101 SQM40022EM_GE3
- Vishay Siliconix N-Kanal 250 A 40 V D2PAK (TO-263), TrenchFET AEC-Q101 SQM40016EM_GE3
