Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 11.5 A 250 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, SQD10950E AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 200-6793
- Producentens varenummer:
- SQD10950E_GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 25 enheder)*
Kr. 212,65
(ekskl. moms)
Kr. 265,80
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 24. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | Kr. 8,506 | Kr. 212,65 |
| 50 - 100 | Kr. 6,977 | Kr. 174,43 |
| 125 - 225 | Kr. 6,379 | Kr. 159,48 |
| 250 - 600 | Kr. 5,954 | Kr. 148,85 |
| 625 + | Kr. 5,101 | Kr. 127,53 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 200-6793
- Producentens varenummer:
- SQD10950E_GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 11.5A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 250V | |
| Serie | SQD10950E | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 180mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.5V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 16nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 62W | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 6.73mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 10.41mm | |
| Bredde | 2.38 mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 11.5A | ||
Drain source spænding maks. Vds 250V | ||
Serie SQD10950E | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 180mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.5V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 16nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 62W | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 6.73mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 10.41mm | ||
Bredde 2.38 mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Vishay SQD10950E_GE3 er en N-kanal 250 V (D-S) 175 °C MOSFET til brug i biler.
TrenchFET® power MOSFET
Hus med lav termisk modstand
100 % Rg og UIS-testet
AEC-Q101 kvalificeret
Relaterede links
- Vishay N-Kanal 11 3 ben AEC-Q101 TrenchFET® SQD10950E_GE3
- Vishay N-Kanal 100 A 60 V DPAK (TO-252) Automotive, TrenchFET® SQD50034EL_GE3
- Vishay N-Kanal 100 A 40 V D2PAK (TO-263) Automotive, TrenchFET® SQM40020EL_GE3
- Vishay N-Kanal 100 A 60 V D2PAK (TO-263) Automotive, TrenchFET® SQM50034EL_GE3
- Vishay N-Kanal 350 A 40 V PowerPAK SO-8L Automotive, TrenchFET® SQJA36EP-T1_GE3
- Vishay N-Kanal 16 A 40 V PowerPAK 1212-8W Automotive, TrenchFET® SQS484CENW-T1_GE3
- Infineon P-Kanal 8 3 ben SIPMOS® AEC-Q101 SPD08P06PGBTMA1
- onsemi N-Kanal 11 3 ben PowerTrench FDD5353
