Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 11.5 A 250 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, SQD10950E AEC-Q101 SQD10950E_GE3

Se alle MOSFET

Indhold (1 rulle af 2000 enheder)*

Kr. 8.210,00

(ekskl. moms)

Kr. 10.262,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 24. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
2000 +Kr. 4,105Kr. 8.210,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
200-6792
Producentens varenummer:
SQD10950E_GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

11.5A

Drain source spænding maks. Vds

250V

Emballagetype

TO-252

Serie

SQD10950E

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

180mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

20 V

Effektafsættelse maks. Pd

62W

Gennemgangsspænding Vf

1.5V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

16nC

Driftstemperatur maks.

150°C

Bredde

2.38 mm

Længde

6.73mm

Standarder/godkendelser

No

Højde

10.41mm

Bilindustristandarder

AEC-Q101

Vishay SQD10950E_GE3 er en N-kanal 250 V (D-S) 175 °C MOSFET til brug i biler.

TrenchFET® power MOSFET

Hus med lav termisk modstand

100 % Rg og UIS-testet

AEC-Q101 kvalificeret

Relaterede links