Vishay 3 Type P, Type N-Kanal Fælles skærm, MOSFET, 30 A 200 V Forbedring, 10 Ben, Triple Die, TrenchFET AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 188-5065
- Producentens varenummer:
- SQUN702E-T1_GE3
- Brand:
- Vishay
Kan ikke leveres i øjeblikket
Vi ved ikke, om dette produkt kommer på lager igen. RS har planer om at tage det ud af sortimentet inden længe.
- RS-varenummer:
- 188-5065
- Producentens varenummer:
- SQUN702E-T1_GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | Type P, Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 30A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 200V | |
| Serie | TrenchFET | |
| Emballagetype | Triple Die | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 10 | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 60W | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 23nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.79V | |
| Driftstemperatur maks. | +175°C | |
| Transistorkonfiguration | Fælles skærm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Antal elementer per chip | 3 | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype Type P, Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 30A | ||
Drain source spænding maks. Vds 200V | ||
Serie TrenchFET | ||
Emballagetype Triple Die | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 10 | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 60W | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 23nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.79V | ||
Driftstemperatur maks. +175°C | ||
Transistorkonfiguration Fælles skærm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Antal elementer per chip 3 | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Vishay TrenchFET seriens MOSFET, 200 V maksimal drain-kildespænding, 30 A maksimal kontinuerlig drain-strøm - SQUN702E-T1_GE3
Denne MOSFET er en overflademonteret effekttransistorfamilie, der er designet til højspændingsswitching i bil- og industrielle styringssystemer. Den kombinerer både P- og N-kanalelementer i en fælles drain-triple-die-konfiguration for at understøtte komplekse strømstyringstopologier, mens den fungerer over et bredt temperaturområde, der er velegnet til krævende miljøer.
Egenskaber og fordele:
• 200 V drain-klassificering, der muliggør højspændingskoblingsanvendelser • 30 A kontinuerlig drænstrøm, der understøtter betydelige belastningsstrømme • 60 W effekttab for vedvarende højstrømsdrift • 175 °C maksimal driftstemperatur, der giver mulighed for høje termiske margener • 20 V gate-tolerance, der passer til standard gate-drivspændinger • 23 nC typisk gate-ladning, der muliggør forudsigelig omskiftning
Anvendelser
• Velegnet til strømfordeling i biler og motordrevskredsløb • Ideel til højspændings DC-DC-konverteringsfaser i køretøjer • Anvendes til switch-mode strømforsyninger i industriel automatisering • Kan bruges til belastningsswitching og beskyttelse i elektriske systemer • Anvendes med multi-elementtopologier, der kræver kombinerede P- og N-kanaler
Hvilket termisk miljø kan den modstå ved længere driftstid?
Den er mærket til at fungere op til 175 °C med en lavere omgivende grænse på -55 °C til koldstartsscenarier.
Hvordan passer enheden til blandede kanalkredsløb?
Den tredobbelte matrice, fælles drain-konfiguration integrerer P- og N-kanalelementer i en enkelt pakke for at forenkle layout i komplementære koblingsarrangementer.
Hvilke monteringsovervejelser gælder for printkortmontering?
Den leveres som en overflademonteret komponent i en 10-benet pakke, hvilket muliggør automatiseret samling og kompakt pladsering af kort.
Hvilke elektriske grænser skal designere overholde for port- og afløbsterminaler?
Den maksimale gate-kilde-spænding er 20 V, og den maksimale drain-kilde-spænding er 200 V for at forhindre overbelastning af enheden.