Vishay Type P-Kanal, MOSFET, 90 A 40 V Forbedring, 4 Ben, SO-8, TrenchFET AEC-Q101 SQJ147ELP-T1_GE3
- RS-varenummer:
- 228-2955
- Producentens varenummer:
- SQJ147ELP-T1_GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 10 enheder)*
Kr. 55,20
(ekskl. moms)
Kr. 69,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 1.480 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | Kr. 5,52 | Kr. 55,20 |
| 100 - 240 | Kr. 5,243 | Kr. 52,43 |
| 250 - 490 | Kr. 4,136 | Kr. 41,36 |
| 500 - 990 | Kr. 3,867 | Kr. 38,67 |
| 1000 + | Kr. 3,037 | Kr. 30,37 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 228-2955
- Producentens varenummer:
- SQJ147ELP-T1_GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | Type P | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 90A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Emballagetype | SO-8 | |
| Serie | TrenchFET | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 4 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 12.5mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 85nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 183W | |
| Gennemgangsspænding Vf | -0.76V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype Type P | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 90A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Emballagetype SO-8 | ||
Serie TrenchFET | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 4 | ||
Drain source modstand maks. Rds 12.5mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 85nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 183W | ||
Gennemgangsspænding Vf -0.76V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Vishay TrenchFET Automotive P-kanal er 40 V effekt MOSFET.
100 % Rg og UIS-testet
Relaterede links
- Vishay P-Kanal 90 A 40 V PowerPAK SO-8L, TrenchFET SQJ147ELP-T1_GE3
- Vishay P-Kanal 33.6 A. 100 V PowerPAK SO-8L, TrenchFET SQJ211ELP-T1_GE3
- Vishay Siliconix P-Kanal 9 4 ben TrenchFET AEC-Q101 SQJ431AEP-T1_GE3
- Vishay Siliconix P-Kanal 30 A 40 V PowerPAK SO-8L, TrenchFET AEC-Q101 SQJ415EP-T1_GE3
- Vishay Siliconix P-Kanal 16 A 80 V PowerPAK SO-8L, TrenchFET AEC-Q101 SQJ481EP-T1_GE3
- Vishay N-Kanal 350 A 40 V PowerPAK SO-8L, TrenchFET SQJ136ELP-T1_GE3
- Vishay N-Kanal 500 A 30 V PowerPAK SO-8L, TrenchFET SQJ126EP-T1_GE3
- Vishay N-Kanal 114 A 40 V PowerPAK SO-8L, TrenchFET SQJ152EP-T1_GE3
