STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 15 A 900 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, SiC MOSFET Nej STF16N90K5
- RS-varenummer:
- 201-4468
- Producentens varenummer:
- STF16N90K5
- Brand:
- STMicroelectronics
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 2 enheder)*
Kr. 81,68
(ekskl. moms)
Kr. 102,10
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 11. maj 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | Kr. 40,84 | Kr. 81,68 |
| 10 - 18 | Kr. 30,48 | Kr. 60,96 |
| 20 + | Kr. 29,92 | Kr. 59,84 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 201-4468
- Producentens varenummer:
- STF16N90K5
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 15A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 900V | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Serie | SiC MOSFET | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 330mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 29.7nC | |
| Portkildespænding maks. | 25 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 30W | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Længde | 10.4mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 4.6 mm | |
| Højde | 16mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 15A | ||
Drain source spænding maks. Vds 900V | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Serie SiC MOSFET | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 330mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 29.7nC | ||
Portkildespænding maks. 25 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 30W | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Længde 10.4mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 4.6 mm | ||
Højde 16mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
STMicroelectronics N-kanal 900 V, 280 MO typ., 15 A MDmesh K5 Power MOSFET i et TO-220FP hus er baseret på en innovativ vertikal struktur.
Ultralav gate-opladning
100 % avalanche-testet
Zener-beskyttet
Relaterede links
- STMicroelectronics Type N-Kanal 15 A 900 V Forbedring TO-220, SiC MOSFET Nej
- STMicroelectronics Type N-Kanal 5.8 A 900 V Forbedring TO-220 Nej
- STMicroelectronics Type N-Kanal 8 A 900 V Forbedring TO-220 Nej
- STMicroelectronics Type N-Kanal 2.1 A 900 V Forbedring TO-220 Nej
- STMicroelectronics Type N-Kanal 3 A 900 V Forbedring TO-220 Nej
- STMicroelectronics Type N-Kanal 2.1 A 900 V Forbedring TO-220 Nej STP2NK90Z
- STMicroelectronics Type N-Kanal 5.8 A 900 V Forbedring TO-220 Nej STP6NK90ZFP
- STMicroelectronics Type N-Kanal 5.8 A 900 V Forbedring TO-220 Nej STP6NK90Z
